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Osciladores (15893)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC1001AI5-028.6363T Microchip Technology DSC1001AI5-028.6363T -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 28.6363 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001BI1-026.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-026.0000 -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-001.5440 Microchip Technology DSC1001BI2-001.5440 -
RFQ
 ECAD 1965 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 1.544 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001BI3-012.0000T Microchip Technology DSC1001BI3-012.0000T -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 12 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSC1001BI3-024.0000 Microchip Technology DSC1001BI3-024.0000 -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSC1001BI3-024.0000T Microchip Technology DSC1001BI3-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSC1001BI3-050.0000 Microchip Technology DSC1001BI3-050.0000 -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 50 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSC1001BI5-018.4320 Microchip Technology DSC1001BI5-018.4320 -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 18.432 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001BL5-072.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-072.0000 -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 72 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 16.6MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001BL5-075.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-075.0000T -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 75 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 16.6MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CL5-029.4912 Microchip Technology DSC1001CL5-029.4912 -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 29.4912 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DL5-016.3840T Microchip Technology DSC1001DL5-016.3840T -
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1001 16.384 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1004AI1-007.3728T Microchip Technology DSC1004AI1-007.3728T -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1004 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-vdfn Xo (Estándar) DSC1004 7.3728 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1030BC1-004.0000T Microchip Technology DSC1030BC1-004.0000T -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1030, PureSilicon ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 4 MHz CMOS 3V descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-024.5760 Microchip Technology DSC1033DI1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 24.576 MHz CMOS 3.3V descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1 µA
DSC1101AM2-030.0000 Microchip Technology DSC1101am2-030.0000 -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) DSC1101 30 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - -
DSC1101CI1-012.0000 Microchip Technology DSC1101CI1-012.0000 -
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 12 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - -
DSC1101CI2-032.0000T Microchip Technology DSC1101CI2-032.0000T -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - -
DSC1101CL1-125.0000 Microchip Technology DSC1101CL1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 1904 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 125 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - -
DSA1001DL1-020.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL1-020.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 20 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-008.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-008.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 6831 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-024.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-024.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-054.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-054.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 54 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-066.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-066.0000VAO -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 66 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-100.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 100 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-016.3840VAO Microchip Technology DSA1001DL3-016.3840VAO -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 16.384 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-022.5792VAO Microchip Technology DSA1001DL3-022.5792VAO -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 22.5792 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-025.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL3-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9893 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 25 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
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