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Osciladores (15893)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Calificaciones	Tamaña / dimensión	AltoRura - Sentada (Max)	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Freacuencia	Productora	Voltaje - Suministro	Ficha de datos	Estado de Rohs	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Amontonamiento	Real - Suministro (Max)	Base de resonancia	Estabilidad de Frecuencia	Rango de Extracció Absoluta (APR)	Difundir el Ancho de Banda del Espectro	Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
VCC1-A3D-40M0000000	-	RFQ	1092	Tecnología de Microchip	VCC1	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.075 "(1.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	40 MHz	CMOS	5V	descascar		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.60.0080	100	Habilitar/deshabilitar	30mera	Cristal	± 50ppm	-	-	30 µA
VCC1-9009-114M285000	-	RFQ	5245	Tecnología de Microchip	VCC1	Banda	Activo	-	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.075 "(1.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	114.285 MHz	CMOS	1.8v ~ 5V	descascar		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.60.0080	100	Habilitar/deshabilitar	60mera	Cristal	-	-	-	30 µA
VC-708-ODE-FNXN-156M634600	-	RFQ	3643	Tecnología de Microchip	VC-708	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.071 "(1.80 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	156.6346 MHz	LVDS	3.3V	-		Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	100	-	48 Ma	Cristal	± 25ppm	-	-	-
VC-801-DAW-KABN-16M0000000	-	RFQ	5323	Tecnología de Microchip	VC-801	Banda	Activo	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm)	0.055 "(1.40 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	16 MHz	CMOS	5V	descascar		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.60.0080	100	Habilitar/deshabilitar	10 Ma	Cristal	± 50ppm	-	-	30 µA
DSC6011HI2B-008.0000	-	RFQ	7632	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Bolsa	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-Vflga	Xo (Estándar)	8 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSC6011HI2B-008.0000	EAR99	8542.39.0001	100	En Espera (Potencia)	1.3MA (typ)	Mems	± 25ppm	-	-	1,5 µA (Típico)
DSC1001CL3-006.1440T	-	RFQ	6717	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-vdfn	Xo (Estándar)	6.144 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	-		Alcanzar sin afectado	150-DSC1001CL3-006.1440TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	8 MA	Mems	± 20ppm	-	-	15 µA
DSC1123CE2-167.7722T	-	RFQ	6744	Tecnología de Microchip	DSC1123	Tape & Reel (TR)	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	167.7722 MHz	LVDS	3.3V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSC1123CE2-167.7722TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	Habilitar/deshabilitar	32MA	Mems	± 25ppm	-	-	22 MA
VT-827-EFH-2560-27M0000000TR	-	RFQ	4924	Tecnología de Microchip	VT-827	Tape & Reel (TR)	Activo	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.039 "(1.00 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Tcxo	27 MHz	Onda sinusoidal recortada	3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-VT-827-EFH-2560-27M0000000TR	EAR99	8541.60.0080	1,000	-	2mera	Cristal	± 2.5ppm	-	-	-
VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPB	-	RFQ	1766	Tecnología de Microchip	VC-706	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.063 "(1.60 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	31.25 MHz	LVDS	2.5V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPBTR	EAR99	8542.39.0001	250	Habilitar/deshabilitar	60mera	Cristal	± 25ppm	-	-	-
DSC1502AI3A-100M0000T	-	RFQ	5906	Tecnología de Microchip	DSC150X	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 4-vdfn	Xo (Estándar)	100 MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC1502AI3A-100M0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	7.5mA	Mems	± 20ppm	-	-	1.8 µA (típ)
VCC6-RCF-100M000000_SNPB	-	RFQ	5103	Tecnología de Microchip	VCC6	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.063 "(1.60 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	100 MHz	Lvpecl	2.5V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-vcc6-rcf-100m000000_snpb	EAR99	8541.60.0080	1	Habilitar/deshabilitar	98 Ma	Cristal	± 25ppm	-	-	-
DSC6101JE3B-485K000	-	RFQ	3521	Tecnología de Microchip	Dsc61xxb	Tubo	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	485 kHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSC6101JE3B-485K000	EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	3MA (typ)	Mems	± 20ppm	-	-	-
VV-701-EAE-SFAB-25M0000000	-	RFQ	3827	Tecnología de Microchip	VV-701	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.068 "(1.72 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	VCXO	25 MHz	CMOS	3.3V	-		Alcanzar sin afectado	150-VV-701-EAE-SFAB-25M0000000	EAR99	8542.39.0001	100	Habilitar/deshabilitar	9 MA	Cristal	± 25ppm	± 100ppm	-	-
DSC1101CI2-027.0000	-	RFQ	1940	Tecnología de Microchip	DSC1101	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	27 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	-		Alcanzar sin afectado	150-DSC1101CI2-027.0000	EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	35mA	Mems	± 25ppm	-	-	95 µA
DSC6001JL3B-024.0000	-	RFQ	3681	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	24 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC6001JL3B-024.0000	EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	1.3MA (typ)	Mems	± 20ppm	-	-	-
DSC6001JI2B-016.7772	-	RFQ	7592	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	16.7772 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC6001JI2B-016.7772	EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	1.3MA (typ)	Mems	± 25ppm	-	-	-
DSC6001JI1B-033.3333	-	RFQ	3586	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	33.3333 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSC6001JI1B-033.3333	EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	1.3MA (typ)	Mems	± 50ppm	-	-	-
DSA6102JI1B-500K000VAO	-	RFQ	4963	Tecnología de Microchip	Dsa61xxb	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	500 kHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSA6102JI1B-500K000VAO	EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	3MA (typ)	Mems	± 50ppm	-	-	-
DSA6011MA1B-032K768VAO	-	RFQ	2764	Tecnología de Microchip	Dsa60xxb	Bolsa	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-Vflga	Xo (Estándar)	32.768 kHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSA6011MA1B-032K768VAO	EAR99	8542.39.0001	100	En Espera (Potencia)	1.3MA (typ)	Mems	± 50ppm	-	-	1,5 µA (Típico)
DSC6001HL3B-032K768	-	RFQ	9051	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Bolsa	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-Vflga	Xo (Estándar)	32.768 kHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC6001HL3B-032K768	EAR99	8542.39.0001	100	Habilitar/deshabilitar	1.3MA (typ)	Mems	± 20ppm	-	-	-
VT-841A-0001-14M7456000	-	RFQ	6728	Tecnología de Microchip	VT-841	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.039 "(1.00 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Tcxo	14.7456 MHz	Onda sinusoidal recortada	1.8v ~ 3.3V	-		Alcanzar sin afectado	150-VT-841A-0001-14M7456000	EAR99	8542.39.0001	100	-	2mera	Cristal	-	-	-	-
VC-714-0002-156M250000	-	RFQ	4294	Tecnología de Microchip	VC-714	Banda	Activo	-55 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.071 "(1.80 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	156.25 MHz	-	2.5V ~ 3.3V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-VC-714-0002-156M250000	EAR99	8542.39.0001	100	-	70 Ma	Cristal	-	-	-	-
VC-830-ECE-KAAN-155M520000TR	-	RFQ	4839	Tecnología de Microchip	VC-830	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	155.52 MHz	Lvpecl	3.3V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-VC-830-ECE-KAAN-155M520000TR	EAR99	8542.39.0001	1,000	Habilitar/deshabilitar	66MA	Cristal	± 50ppm	-	-	-
VCE1-A3C-1M84320000TR	-	RFQ	7196	Tecnología de Microchip	VCE1	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.551 "L x 0.341" W (14.00 mm x 8.65 mm)	0.185 "(4.70 mm)	Montaje en superficie	4-SOJ, Pitch de 5.08 mm	Xo (Estándar)	1.8432 MHz	CMOS	5V	-		Alcanzar sin afectado	150-VCE1-A3C-1M84320000TR	EAR99	8542.39.0001	1,000	Habilitar/deshabilitar	40mera	Cristal	± 100ppm	-	-	-
DSC6011JI3B-016.0000T	-	RFQ	5342	Tecnología de Microchip	DSC60XXB	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-vlga	Xo (Estándar)	16 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC6011JI3B-016.0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	1.3MA (typ)	Mems	± 20ppm	-	-	1,5 µA (Típico)
VT-501-EAE-206A-46M0000000	-	RFQ	7147	Tecnología de Microchip	VT-501	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.465 "L x 0.390" W (11.80 mm x 9.90 mm)	0.087 "(2.20 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	VCTCXO	46 MHz	CMOS	3.3V	-		Alcanzar sin afectado	150-VT-501-EAE-206A-46M0000000	EAR99	8542.39.0001	100	Control de amplitud	24 Ma	Cristal	± 2ppm	± 5ppm	-	-
DSC1104DE2-100.0000T	-	RFQ	8239	Tecnología de Microchip	DSC1104	Tape & Reel (TR)	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	100 MHz	HCSL	3.3V	-		Alcanzar sin afectado	150-DSC1104DE2-100.0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	42MA	Mems	± 25ppm	-	-	95 µA
DSC1101DL1-050.0000T	-	RFQ	3619	Tecnología de Microchip	DSC1101	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	50 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	150-DSC1101DL1-050.0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	35mA	Mems	± 50ppm	-	-	95 µA
DSC1505AI3A-125M0000T	-	RFQ	1941	Tecnología de Microchip	DSC150X	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 4-vdfn	Xo (Estándar)	125 MHz	LVCMOS	1.8V	descascar		Alcanzar sin afectado	150-DSC1505AI3A-125M0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	7.5mA	Mems	± 20ppm	-	-	1 µA (typ)
VT-844-0001-14M7456000	-	RFQ	6672	Tecnología de Microchip	VT-844	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	-	-	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	-	14.7456 MHz	-	-	-		Alcanzar sin afectado	150-VT-844-0001-14M7456000	EAR99	8541.60.0080	100	-	-	Cristal	-	-	-	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Osciladores (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²