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Cristales, Osciladores, Resonadores (193603)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
SIT3521AC-2C1331GU50.516667Y SiTime SIT3521AC-2C1331GU50.516667Y 14.0408
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 Sitio SIT3521, Elite Platform ™ Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 10 vqfn Xo (Estándar) SIT3521 50.51666667 MHz LVDS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1473-SIT3521AC-2C1331GU50.516667YTRYTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 89 Ma Mems ± 20ppm ± 3185ppm - 61mA
SIT3808ACBDF-33NZ-56.800000S SiTime SIT3808ACBDF-33NZ-56.800000S 10.5110
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Sitio SIT3808 Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo VCXO SIT3808 56.8 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1473-SIT3808ACBDF-33NZ-56.800000STR EAR99 8542.39.0001 10,000 - 33MA Mems ± 10ppm ± 1585ppm - -
SIT3808ACDDF-33NZ-56.800000T SiTime SIT3808ACDDF-33NZ-56.800000T 10.5110
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 Sitio SIT3808 Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo VCXO SIT3808 56.8 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1473-SIT3808ACDDF-33NZ-56.800000TTR EAR99 8542.39.0001 3.000 - 33MA Mems ± 10ppm ± 1585ppm - -
SIT8008BI-21-33E-33.333333 SiTime SIT8008BI-21-33E-33.333333 2.3700
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.33333333 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 20ppm - - 4.2MA
SIT5356AECFQ-30E0-60.000000 SiTime SIT5356AECFQ-30E0-60.000000 116.7700
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 Sitio SIT5356, Elite Platform ™ Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.042 "(1.06 mm) Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo Tcxo 60 MHz Onda sinusoidal recortada 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 53MA Mems ± 100ppb - - 51 mm
SIT8008BI-83-33S-9.830400 SiTime SIT8008BI-83-33S-9.830400 1.1800
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 9.8304 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.3 µA
SIT8008BI-83-33E-6.750000 SiTime SIT8008BI-83-33E-6.750000 1.9300
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 6.75 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.2MA
SIT8920BM-72-33N-5.000000 SiTime SIT8920BM-72-33N-5.000000 25.8800
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Sitio SIT8920B Banda Activo -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 5 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.7mA Mems ± 25ppm - - -
SIT8924BIE11-25E-29.491200 SiTime SIT8924BIE11-25E-29.491200 3.3800
RFQ
 ECAD 7949 0.00000000 Sitio SIT8924B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) SIT8924 29.4912 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.8mA Mems ± 20ppm - - 4.5mA
SIT8009BI-33-33S-125.000000 SiTime SIT8009BI-33-33S-125.000000 1.9300
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Sitio SIT8009B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 125 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 7.5mA Mems ± 50ppm - - 4.3 µA
SIT8918BA-73-XXN-58.982400 SiTime SIT8918BA-73-XXN-58.982400 8.8400
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 58.9824 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.7mA Mems ± 50ppm - - -
SIT8008BI-83-33S-18.000000 SiTime SIT8008BI-83-33S-18.000000 1.9300
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.3 µA
SIT8008BI-72-XXN-12.000000 SiTime SIT8008BI-72-XXN-12.000000 2.2200
RFQ
 ECAD 9757 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 12 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 25ppm - - -
SIT8008BI-32-33E-50.400000 SiTime SIT8008BI-32-33E-50.400000 2.3300
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 50.4 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - - 4.2MA
SIT8008BI-83-33E-19.600000 SiTime SIT8008BI-83-33E-9.600000 1.9300
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 19.6 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.2MA
SIT9367AI-2B3-25E300.000000 SiTime SIT9367AI-2B3-25E300.000000 10.1900
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 Sitio SIT9367, Elite Platform ™ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 300 MHz LVDS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 85mA Mems ± 50ppm - - 63MA
SIT8008BI-71-25E-25.000000 SiTime SIT8008BI-71-25E-25.000000 2.2700
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.2MA Mems ± 20ppm - - 4.2MA
SIT8924BAE11-25E-29.000000 SiTime SIT8924BAE11-25E-29.000000 4.9200
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 Sitio SIT8924B Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) SIT8924 29 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.8mA Mems ± 20ppm - - 4.5mA
SIT8918BA-33-XXS-25.000000 SiTime SIT8918BA-33-XXS-25.000000 9.7200
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.7mA Mems ± 50ppm - - 8.5 µA
SIT8918BA-33-XXS-2.000000 SiTime SIT8918BA-33-XXS-2.000000 9.7200
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 2 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.7mA Mems ± 50ppm - - 8.5 µA
SIT8008BI-83-33E-14.000000 SiTime SIT8008BI-83-33E-4.000000 1.9300
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 14 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.2MA
SIT8008BC-83-33N-9.000000 SiTime SIT8008BC-83-33N-9.000000 1.8900
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 9 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - - -
SIT8918BEB73-33N-58.982400 SiTime SIT8918BEB73-33N-58.982400 2.3200
RFQ
 ECAD 7046 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 58.9824 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.7mA Mems ± 50ppm - - -
SIT8919BE-33-XXS-125.000000 SiTime SIT8919BE-33-XXS-125.000000 7.7500
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Sitio SIT8919B Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 125 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 8.5 µA
SIT8918BE-23-33E-6.750000 SiTime SIT8918BE-23-33E-6.750000 8.1400
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 6.75 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.7mA Mems ± 50ppm - - 4.5mA
SIT8008BI-83-33E-1.000000 SiTime SIT8008BI-83-33E-1.000000 1.1800
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 1 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - - 4.2MA
SIT8918BA-73-25N-58.982400 SiTime SIT8918BA-73-25N-58.982400 8.8400
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 Sitio SIT8918B Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 58.9824 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - - -
SIT8920BML71-33E-52.428000 SiTime SIT8920BML71-33E-52.428000 25.8800
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 Sitio SIT8920B Banda Activo -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 52.428 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.7mA Mems ± 20ppm - - 4.5mA
SIT5357AI-FQ-33VT-156.250000 SiTime SIT5357AI-FQ-33VT-156.250000 99.6000
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Sitio SIT5357, Elite Platform ™ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.042 "(1.06 mm) Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo VCTCXO 156.25 MHz LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 66MA Mems ± 100ppb ± 5.31ppm - 56MA
SIT8008BC-83-33N-8.192000 SiTime SIT8008BC-83-33N-8.192000 1.8900
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Sitio SIT8008B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 8.192 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - - -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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