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Regulacia Real: Diodos, Transistores (1067)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Calificante | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Janhca1n5290 | - |  | 3484 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5290 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||||
 | 1N5293 | 2.2500 | | 6757 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5293 | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-1N5293 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||||
| 1N5299 | 2.2500 | | 200 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5299 | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-1N5299 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||||
 | CL40M35 | 0.4130 | | 4768 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Cargador de Batería, controlador de control | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CL40 | 1W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2721-CL40M35TR | 8541.10.0000 | 1.875 | 90V | 46MA | 3V | ||||
| 1N5297 | 18.6000 | | 3118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5297 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5297 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | |||||||
| 1N5296/TR | 18.7950 | | 7848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5296 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5296/TR | 100 | 100V | 1.001MA | 1.29V | |||||||
 | CDS5304UR-1/TR | - | | 7807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5304UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||||
| CDS5298-1/TR | - | | 4658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS52 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5298-1/TR | 50 | ||||||||||||||||
| CDS5300UR-1/TR | - | | 6661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5300UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||||
| 1N5286/TR | 18.6900 | | 8647 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5286 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5286/TR | 100 | 100V | 330 µA | 1V | |||||||
| 1N5308/TR | 18.7950 | | 2309 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5308 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5308/TR | 100 | 100V | 2.97MA | 2.15V | |||||||
| CDS5303-1/TR | - | | 3896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5303-1/TR | 50 | ||||||||||||||||
 | E-301 | 0.8900 | | 4252 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | mi | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 150 ° C | - | A Través del Aguetero | Axial | E-30 | 300MW | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 4316-E-301 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | - | 100V | 400 µA | 800mv | - | ||
| 1N5301UR-1/TR | 21.9800 | | 1429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||||
| CDLL5294 | 25.0950 | | 9330 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | |||||
 | CDLL5313/TR | 25.2900 | | 4553 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5313/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | ||||
| Janhca1n5307 | - | | 7187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5307 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | |||||
| Jantxv1n5294-1 | 36.4050 | | 7583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5294 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | ||||
| 1N5290-1/TR | 18.7950 | | 5452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5290-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | ||||
| Jans1n5295-1 | 99.8700 | | 7856 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5295 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | |||||
| Jan1N5306ur-1/TR | 36.8400 | | 1525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5306ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V | ||||
 | 1N5284 | 2.5000 | | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Caja | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5284 | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 2383-1N5284 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||||
 | Jans1n5309-1/tr | 100.0200 | | 3136 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5309-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||
 | CL20M45 | 0.1637 | | 8450 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Cargador de Batería, controlador de control | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | CL20 | 1W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-CL20M45TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 90V | 23 MA | 3V | |||||
| Jantx1n5293-1/tr | 34.1550 | | 1285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5293 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5293-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | ||||
| CDLL5287 | 25.0950 | | 8625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | |||||
| CDLL200/TR | 22.2750 | | 9468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL20 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL200/TR | 100 | ||||||||||||||||
| 1N5312ur-1e3 | 22.0050 | | 9131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5312ur-1e3 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||
| 1N5309ur-1 | 21.8250 | | 6586 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||
| Jans1n5283ur-1/tr | 130.3050 | | 6419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5283ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V |
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