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Diodos (3135)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX584B15V | 0.0200 |  | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX584B15VTR | EAR99 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||
 | BZT52C56S | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C56STR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | MD250S16M3 | 42.9217 | | 600 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | M3 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD250S16M3 | EAR99 | 6 | 1.6 V @ 300 A | 500 µA @ 1600 V | 250 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||
 | GBU2010 | 0.4470 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | Gbu | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBU2010 | EAR99 | 1,000 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 20 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
 | SSL36B | 0.0860 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SSL36BTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | DZ23C3V9Q | 0.0460 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DZ23C3V9QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | Bzx84c10t | 0.0190 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | 150 MW | SOT-523 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84C10TTR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||
| Murs140b | 0.0800 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MURS140BTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | RB520S-40L2 | 0.0190 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | RB520 | Schottky | DFN1006-2L | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-RB520S-40L2TR | EAR99 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||
 | GS2GBF | 0.0340 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2GBFTR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX84B3V0W | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B3V0WTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | MF400K06F3 | 22.3790 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo f3 | Estándar | F3 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF400K06F3 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 200a | 1.25 V @ 200 A | 130 ns | 1 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | GBL610 | 0.2210 | | 132 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | GBL | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | Estándar | GBL | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBL610 | EAR99 | 1.320 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
| SS22AQ | 0.0640 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS22AQTR | EAR99 | 7,500 | |||||||||||||||||||||||
 | MF300A06F2 | 35.7225 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF300A06F2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 600 V | 300A | 1.65 V @ 300 A | 145 ns | 500 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | GBP408A | 0.1610 | | 210 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBP408A | EAR99 | 2,100 | |||||||||||||||||||||||
| AZ23B43 | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23B43TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | KBPC806 | 0.3960 | | 20 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-KBPC806 | EAR99 | 200 | |||||||||||||||||||||||
 | SS320 | 0.0720 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS320TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | SD101AWQ | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SD101AWQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | GBU2006 | 0.4470 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | Gbu | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | Estándar | Gbu | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBU2006 | EAR99 | 1,000 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 600 V | 20 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
 | F1MF | 0.0160 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-F1MFTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | SL14 | 0.0350 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SL14TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
| DZ23C4V7Q | 0.0460 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DZ23C4V7QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
| GBP308A | 0.1580 | | 210 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBP308A | EAR99 | 2,100 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84C7V5 | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C7 | 350 MW | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84C7V5TR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||
| SL36 | 0.0690 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SL36TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | S35VB100 | 1.4710 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-S35VB100 | EAR99 | 50 | |||||||||||||||||||||||
| MF200U12F2 | 48.1700 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF200U12F2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.3 V @ 200 A | 110 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 200a | - | |||||||||||
 | GBJ1510 | 0.4010 | | 75 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | GBJ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBJ | Estándar | GBJ | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBJ1510 | EAR99 | 750 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV |
2000+
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Unidad de producto estándar
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