SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GP3D005A120C SemiQ GP3D005A120C -
RFQ
ECAD 2383 0.00000000 Semiq * Tape & Reel (TR) Activo GP3D005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500
GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A -
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1034-5 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 3 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1V, 1 MHz
GP2D030A120U SemiQ GP2D030A120U -
RFQ
ECAD 3074 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1233-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 50A (DC) 1.8 V @ 15 A 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D005A170B SemiQ GP2D005A170B -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1038-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.75 v @ 5 a 0 ns 10 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 406pf @ 1v, 1 MHz
GSXD050A008S1-D3 SemiQ GSXD050A008S1-D3 31.8774
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B -
RFQ
ECAD 7087 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 V @ 20 A 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1054pf @ 1V, 1 MHz
GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3 39.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 15A 1.7 V @ 15 A 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD160A015S1-D3 SemiQ GSXD160A015S1-D3 41.7555
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 160A 880 MV @ 160 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 608pf @ 1V, 1 MHz
GSXD100A010S1-D3 SemiQ GSXD100A010S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A004S1-D3 SemiQ GSXD120A004S1-D3 41.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 120a 700 MV @ 120 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A018S1-D3 SemiQ GSXD060A018S1-D3 33.2649
RFQ
ECAD 6866 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A020S1-D3 SemiQ GSXD120A020S1-D3 41.4600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D030A065B SemiQ GP2D030A065B -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 Semiq * Tubo Descontinuado en sic - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GSXD100A008S1-D3 SemiQ GSXD100A008S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D010A065C SemiQ GP3D010A065C 2.9800
RFQ
ECAD 1450 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D010 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D 1.7953
RFQ
ECAD 7548 0.00000000 Semiq - Tape & Reel (TR) Activo GP3D008 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 - 650 V - 8A -
GHXS030A120S-D1 SemiQ GHXS030A120S-D1 -
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Silicon Carbide Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 A 200 µA @ 1200 V 30 A Fase única 1.2 kV
GP2D030A120B SemiQ GP2D030A120B -
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1054-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 30 A 0 ns 60 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 1905pf @ 1V, 1MHz
GP2D050A120B SemiQ GP2D050A120B -
RFQ
ECAD 6436 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 3174pf @ 1V, 1 MHz
GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A 1.8500
RFQ
ECAD 143 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D006 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.55 v @ 6 a 15 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 229pf @ 1V, 1 MHz
GSXD100A020S1-D3 SemiQ GSXD100A020S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 100A 920 MV @ 100 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D008A065C SemiQ GP2D008A065C -
RFQ
ECAD 5149 0.00000000 Semiq * Tubo Descontinuado en sic - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GSXD100A012S1-D3 SemiQ GSXD100A012S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 3107 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD030A008S1-D3 SemiQ GSXD030A008S1-D3 27.7148
RFQ
ECAD 3886 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD030 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 30A 840 MV @ 30 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A012S1-D3 SemiQ GSXD120A012S1-D3 37.0575
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 120a 880 MV @ 120 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD100A004S1-D3 SemiQ GSXD100A004S1-D3 37.9500
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 100A 700 MV @ 100 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3 47.0100
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS100 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS100B065S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 193a (DC) 1.65 V @ 100 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD160A020S1-D3 SemiQ GSXD160A020S1-D3 41.7555
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 160A 920 MV @ 160 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D050A060B SemiQ GP3D050A060B -
RFQ
ECAD 1589 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D050 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock