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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSXD030A006S1-D3 | 27.7148 | ![]() | 4091 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD030 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 60 V | 30A | 750 MV @ 30 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GP3D008A065D | 1.7953 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | Semiq | - | Tape & Reel (TR) | Activo | GP3D008 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | - | 650 V | - | 8A | - | |||||||||||
![]() | GSXF100A040S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 1350 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF100 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 100A | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | GP3D010A120B | 5.3303 | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D010 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 10 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 608pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP2D030A120B | - | ![]() | 9514 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1054-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 30 A | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 1905pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | GSXF030A100S1-D3 | - | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF030 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1000 V | 30A | 2.35 V @ 30 A | 85 ns | 25 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | GSXD030A010S1-D3 | 27.7148 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD030 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 100 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GSXD060A012S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD060 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 120 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GSXF060A060S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF060 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | GSXF060A060S1D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 60A | 1.5 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | GSXD080A018S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD080 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 80A | 920 MV @ 80 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GP3D006A065A | 1.8500 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | GP3D006 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 6 a | 15 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 229pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | GP3D010A065C | 2.9800 | ![]() | 1450 | 0.00000000 | Semiq | * | Tubo | Activo | GP3D010 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | GP3D060A120B | - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Semiq | * | Tubo | Activo | GP3D060 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||
![]() | GP3D010A065B | 2.7810 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D010 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-GP3D010A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.6 v @ 10 a | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 419pf @ 1v, 1 MHz | |||
![]() | GP3D030A060B | - | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | - | - | GP3D030 | Schottky | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | - | - | - | ||||||||
![]() | GP2D040A120U | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 65a (DC) | 1.8 V @ 20 A | 40 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||
![]() | GSXD080A012S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD080 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 120 V | 80A | 880 MV @ 80 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GP2D010A120U | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 17a (DC) | 1.8 V @ 5 A | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||
![]() | GP2D060A120B | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 60 A | 500 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | 3809pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | GSXD030A008S1-D3 | 27.7148 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD030 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 80 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GP2D050A120B | - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 50A | 3174pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | GP2D008A065C | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Semiq | * | Tubo | Descontinuado en sic | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | GSXD160A020S1-D3 | 41.7555 | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD160 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 160A | 920 MV @ 160 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GSXD060A010S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD060 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 100 V | 60A | 840 MV @ 60 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GHXS010A060S-D3 | 20.4600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GHXS010 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | GSXF120A040S1-D3 | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF120 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 120a | 1.3 V @ 120 A | 100 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | GP3D020A170B | 13.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 80 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 67a | 1403pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP2D020A120B | - | ![]() | 4576 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1052-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1270pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GSXD100A020S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD100 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GP2D020A170B | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1053-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1624pf @ 1V, 1 MHz |
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