SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
1N3212 GeneSiC Semiconductor 1N3212 7.0650
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3212 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3212GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor MBRTA80040 -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60030R GeneSiC Semiconductor MBRF60030R -
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1188 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1045 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBRT300200R GeneSiC Semiconductor MBRT300200R 107.3070
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT300200 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 150a 920 MV @ 150 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30035L GeneSiC Semiconductor MBRH30035L -
RFQ
 ECAD 7289 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 600 MV @ 300 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MBRTA60020RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60020RL -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 300A 580 MV @ 300 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60080CTR GeneSiC Semiconductor MBR60080CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60080 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60080CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF600150 GeneSiC Semiconductor MBRF600150 -
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
S300D GeneSiC Semiconductor S300d 63.8625
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S300 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S300dgn EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
S6K GeneSiC Semiconductor S6K 3.8625
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S6KGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S6Q Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MSRTA30080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30080AD 113.5544
RFQ
 ECAD 3891 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA300 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 800 V 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20030RL GeneSiC Semiconductor MBRH20030RL -
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky, Polaridad Inversa D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MBR60100 GeneSiC Semiconductor MBR60100 20.2695
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR60100 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60100GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS -
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto Montaje de Tornillo SOT-227-4 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1133 EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 200a (DC) 950 MV @ 100 A 10 µA @ 80 V -40 ° C ~ 175 ° C
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor MUR20010CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR20010 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1000 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150160D GeneSiC Semiconductor MSRT150160D 98.8155
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT150 Estándar Tres Torre descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRT150160D EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN26/16 GeneSiC Semiconductor GKN26/16 -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT200 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 200a 1.1 v @ 200 a 10 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST120200 GeneSiC Semiconductor FST120200 70.4280
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 60A 920 MV @ 60 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40035L GeneSiC Semiconductor MBRT40035L -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR6AR02 GeneSiC Semiconductor Fr6ar02 5.1225
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr6ar02gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBR2X050A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A200 43.6545
RFQ
 ECAD 4119 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X050 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1299 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 100A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X100 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT60045 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60045RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR120200CT GeneSiC Semiconductor MBR120200CT -
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 60A 920 MV @ 60 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF300200R GeneSiC Semiconductor MBRF300200R -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3002 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 150a 920 MV @ 150 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30040R GeneSiC Semiconductor MURF30040R -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 150a 1.3 V @ 150 A 110 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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