SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
MBRF50080R GeneSiC Semiconductor MBRF50080R -
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 250a 840 MV @ 250 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR12060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1083 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 120A (DC) 750 MV @ 60 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8380SM GeneSiC Semiconductor FST8380SM -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3SM Schottky D61-3SM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fst8380smgn EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 80a (DC) 840 MV @ 80 A 1.5 Ma @ 20 V
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
RFQ
 ECAD 1556 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
S25K GeneSiC Semiconductor S25K 5.2485
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S25kgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
FST100150 GeneSiC Semiconductor FST100150 65.6445
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 50A 880 MV @ 50 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 155 ° C
MBRT30035RL GeneSiC Semiconductor MBRT30035RL -
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 150a 600 MV @ 150 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR7010 GeneSiC Semiconductor MUR7010 17.5905
RFQ
 ECAD 4310 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR7010GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
FST6340M GeneSiC Semiconductor FST6340M -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3289A GeneSiC Semiconductor 1N3289A 33.5805
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento 1N3289 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3289AGN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.5 V @ 100 A 24 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
UFT10040 GeneSiC Semiconductor UFT10040 -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis To-249ab Estándar To-249ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 50A 1.3 V @ 50 A 70 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento 1N4593 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N4593GN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.5 V @ 150 A 5.5 Ma @ 800 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X050 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
MURH7005 GeneSiC Semiconductor Murh7005 -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
MBRTA600150 GeneSiC Semiconductor MBRTA600150 -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 300A 880 MV @ 300 A 4 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr30J02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR12040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1024 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 5.3730
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GC2X5 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1324 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 27a (DC) 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT20030R GeneSiC Semiconductor MBRT20030R 98.8155
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT20030 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT20030RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR3560R GeneSiC Semiconductor MBR3560R 18.5700
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento MBR3560 Schottky, Polaridad Inversa Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 35 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento 1N4593R Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N4593RGN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.5 V @ 150 A 5.5 Ma @ 800 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor MBRTA80045 -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
S300ZR GeneSiC Semiconductor S300ZR 85.3080
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S300 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S300zrgn EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C 300A -
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH20045 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1061 EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 200 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40J02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR40005CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MBR2X080A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045 53.8500
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X080 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1301 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 80A 700 MV @ 80 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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