SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR16JR05GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 60A 700 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
S300J GeneSiC Semiconductor S300J 63.8625
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S300 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S300jgn EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MBRT12060 GeneSiC Semiconductor MBRT12060 75.1110
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT12060GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 60A 800 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30045 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1073 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr70g05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr30kr05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N3297 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3297Agn EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.5 V @ 100 A 7 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
KBL608G GeneSiC Semiconductor KBL608G 0.5805
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL608 Estándar KBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBL608GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A04 52.2000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MUR2X100 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1313 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 100A 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60035 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60035CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR12040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1024 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN240/18 GeneSiC Semiconductor GKN240/18 73.7088
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento GKN240 Estándar DO-205AB (DO-9) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
S16BR GeneSiC Semiconductor S16BR 4.5900
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S16B Polaridad Inversa Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S16BRGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
1N3889R GeneSiC Semiconductor 1N3889R 9.3600
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3889R Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1108 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 v @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr6j02gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 v @ 6 a 250 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MURH7005 GeneSiC Semiconductor Murh7005 -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
MBRT120200 GeneSiC Semiconductor MBRT120200 75.1110
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 60A 920 MV @ 60 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor MBRT60045RL -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 300A 600 MV @ 300 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 100A 700 MV @ 100 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70V GeneSiC Semiconductor S70V 10.1310
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S70vgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 70a -
GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H 5.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GD05MPS Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD05MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.8 V @ 5 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 361pf @ 1v, 1 MHz
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR400100 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1022 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 200a 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2510 GeneSiC Semiconductor MUR2510 10.1910
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1099 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MURTA40040 GeneSiC Semiconductor Murta40040 159.9075
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30060 GeneSiC Semiconductor MBRF30060 -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3006 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70KR05 GeneSiC Semiconductor FR70KR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr70kr05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
MBRTA60030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 300A 580 MV @ 300 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR80100GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 80 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 80A -
MBRH15040L GeneSiC Semiconductor MBRH15040L -
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 150 A 5 Ma @ 40 V 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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