SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBRH15030L GeneSiC Semiconductor MBRH15030L -
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 580 MV @ 150 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 150a -
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1N3893 5.6380
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3893 Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3893GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 v @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBRF400200 GeneSiC Semiconductor MBRF400200 -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 200a 920 MV @ 200 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 250a 920 MV @ 250 A 3 Ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST6310M GeneSiC Semiconductor FST6310M -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 10 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 10 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT150 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1000 V 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH20040 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH20040RGN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 650 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V 200a -
MUR5020 GeneSiC Semiconductor MUR5020 17.4870
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR5020GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 50A -
KBPM3005G GeneSiC Semiconductor KBPM3005G -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPM3005GGN EAR99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V 3 A Fase única 50 V
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30035 Schottky, Polaridad Inversa Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1004 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 22.1985
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR8035 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR8035RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 80A -
1N3883R GeneSiC Semiconductor 1N3883R 7.3900
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3883R Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1020 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR85J02 GeneSiC Semiconductor FR85J02 23.1210
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85j02gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 85 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
FST7380M GeneSiC Semiconductor FST7380M -
RFQ
 ECAD 1731 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 35a 840 MV @ 35 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N2138A GeneSiC Semiconductor 1N2138A 8.9025
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N2138 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1049 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 60 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
S25J GeneSiC Semiconductor S25J 5.2485
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S25JGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MBRT120150 GeneSiC Semiconductor MBRT120150 -
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 60A 880 MV @ 60 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GC15MPS12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1334 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 75a 1089pf @ 1V, 1 MHz
1N1183A GeneSiC Semiconductor 1N1183A 6.3770
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1183 Estándar Do-203ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1n1183agn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
MBRT12060R GeneSiC Semiconductor MBRT12060R 75.1110
RFQ
 ECAD 5412 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT12060 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT12060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 60A 800 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16G05 GeneSiC Semiconductor FR16G05 8.1330
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr16g05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A045 45.3800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X030 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1297 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 60A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
1N1184R GeneSiC Semiconductor 1N1184R 6.2320
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1184R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1095 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor MUR10020CT 75.1110
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR10020 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR10020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBU8D GeneSiC Semiconductor GBU8D 1.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
1N3212R GeneSiC Semiconductor 1N3212R 7.0650
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3212R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3212RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MBRH20030 GeneSiC Semiconductor MBRH20030 70.0545
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH20030GN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 650 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V 200a -
W10M GeneSiC Semiconductor W10M -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wom Estándar Wom descascar 1 (ilimitado) W10MGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
GBL005 GeneSiC Semiconductor GBL005 4.7100
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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