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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRH20045RL | - | ![]() | 1586 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 | Schottky, Polaridad Inversa | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 200 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200a | - | |||||||||||
![]() | MURT40020R | 132.0780 | ![]() | 4671 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MURT40020 | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MURT40020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 200a | 1.3 V @ 200 A | 125 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRF300150R | - | ![]() | 8655 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | MBRF3001 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 150 V | 150a | 880 MV @ 150 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
1N3671ar | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3671ar | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1036 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||
![]() | MBRTA50060 | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRF60020R | - | ![]() | 3845 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 20 V | 300A | 650 MV @ 300 A | 10 Ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | MBRTA80035RL | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 400A | 600 MV @ 400 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MURF30060 | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Estándar | To-244 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 150a | 1.7 V @ 150 A | 150 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRF40040 | - | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 200a | 700 MV @ 200 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBR2X080A180 | 48.6255 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X080 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 80A | 920 MV @ 80 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRH24020 | 76.4925 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-67 | Schottky | D-67 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 720 MV @ 240 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 240a | - | ||||||||||
![]() | 1N6095 | 14.0145 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N6095 | Schottky | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N6095GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 25 A | 2 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | MBR600150CT | 129.3585 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR600150 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 3 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | FR85B05 | 23.1210 | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Fr85b05gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||
![]() | MBR12045CT | 68.8455 | ![]() | 3087 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR12045 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1019 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 120A (DC) | 650 MV @ 60 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | FR12DR02 | 9.2235 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | FR12DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 800 MV @ 12 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | MBR50020CT | - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBR50020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRF50030 | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | FST7320M | - | ![]() | 6561 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 35a | 700 MV @ 35 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRTA80045RL | - | ![]() | 3112 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 45 V | 400A | 600 MV @ 400 A | 6 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | UFT10005 | - | ![]() | 1713 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | To-249ab | Estándar | To-249ab | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 50A | 1 V @ 50 A | 60 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
GB10MPS17-247 | 10.4235 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | Sic schottky mps ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To-247-2 | GB10MPS17 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1242-1343 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 12 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 50A | 669pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRTA60045L | - | ![]() | 9002 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 300A | 600 MV @ 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | GC2X8MPS12-247 | 8.5400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | Sic schottky mps ™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | GC2X8 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1242-1327 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 40A (DC) | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 7 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||
KBPC5002T | 2.5875 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC5002 | Estándar | KBPC-T | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 5 µA @ 200 V | 50 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
![]() | MBRH20020L | - | ![]() | 4198 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 580 MV @ 200 Ma | 3 Ma @ 20 V | 200a | - | ||||||||||||
![]() | MBRTA50040R | - | ![]() | 8132 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 40 V | 250a | 700 MV @ 250 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBR40035CTRL | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 200a | 600 MV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRF40045 | - | ![]() | 4616 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 200a | 700 MV @ 200 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MURT40040 | 132.0780 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1081 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 200a | 1.35 V @ 200 A | 180 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volumen de RFQ promedio diario
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