SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
S85MR GeneSiC Semiconductor S85mr 11.8980
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S85m Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S85mrgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 85a -
MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A04 50.2485
RFQ
ECAD 2845 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MUR2X120 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 120a 1.3 V @ 120 A 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT30045 GeneSiC Semiconductor MBRT30045 107.3070
RFQ
ECAD 5037 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1088 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
RFQ
ECAD 6647 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 200a 700 MV @ 200 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80035RL -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 400A 600 MV @ 400 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3671AR GeneSiC Semiconductor 1N3671ar 4.2345
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3671ar Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1036 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
MBRF300150R GeneSiC Semiconductor MBRF300150R -
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 150a 880 MV @ 150 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50060 GeneSiC Semiconductor MBRTA50060 -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60020R GeneSiC Semiconductor MBRF60020R -
RFQ
ECAD 3845 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 300A 650 MV @ 300 A 10 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
MURF30060 GeneSiC Semiconductor MURF30060 -
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A180 48.6255
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X080 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 80A 920 MV @ 80 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
FR85B05 GeneSiC Semiconductor FR85B05 23.1210
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85b05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
MBR6080R GeneSiC Semiconductor MBR6080R 21.3105
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR6080 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR6080RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
150KR60A GeneSiC Semiconductor 150kr60a 39.4700
RFQ
ECAD 1565 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.33 V @ 150 A 35 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBPC5004T GeneSiC Semiconductor GBPC5004T 4.0155
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5004 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 400 V 50 A Fase única 400 V
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
RFQ
ECAD 8692 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30035 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1050 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N6095 GeneSiC Semiconductor 1N6095 14.0145
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N6095 Schottky Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N6095GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 580 MV @ 25 A 2 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor MBR600150CT 129.3585
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR600150 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 300A 880 MV @ 300 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30035 GeneSiC Semiconductor MBRF30035 -
RFQ
ECAD 2001 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3003 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1200AR GeneSiC Semiconductor 1N1200ar 4.2345
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N1200ar Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1011 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
S85Q GeneSiC Semiconductor S85Q 15.0400
RFQ
ECAD 597 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1031 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 85a -
GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26/08 -
RFQ
ECAD 6967 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MBRF12035 GeneSiC Semiconductor MBRF12035 -
RFQ
ECAD 4279 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 60A 700 MV @ 60 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR12DR02 GeneSiC Semiconductor FR12DR02 9.2235
RFQ
ECAD 5915 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR12DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 800 MV @ 12 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1007 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo de 3-SMD - Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MSRTA6001GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - 1600 V 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60080R GeneSiC Semiconductor MBRTA60080R -
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 300A 840 MV @ 300 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR85GR02 GeneSiC Semiconductor FR85GR02 24.1260
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1010 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
MBR30035CTR GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR 98.8100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30035 Schottky, Polaridad Inversa Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1089 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock