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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S85mr | 11.8980 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | S85m | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | S85mrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | |||||||
![]() | MUR2X120A04 | 50.2485 | ![]() | 2845 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MUR2X120 | Estándar | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 120a | 1.3 V @ 120 A | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1088 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRF40040 | - | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 200a | 700 MV @ 200 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRTA80035RL | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 400A | 600 MV @ 400 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
1N3671ar | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3671ar | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1036 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | MBRF300150R | - | ![]() | 8655 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | MBRF3001 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 150 V | 150a | 880 MV @ 150 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRTA50060 | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRF60020R | - | ![]() | 3845 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 20 V | 300A | 650 MV @ 300 A | 10 Ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | MURF30060 | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Estándar | To-244 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 150a | 1.7 V @ 150 A | 150 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBR2X080A180 | 48.6255 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X080 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 80A | 920 MV @ 80 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRH24020 | 76.4925 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-67 | Schottky | D-67 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 720 MV @ 240 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 240a | - | |||||||||
![]() | FR85B05 | 23.1210 | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Fr85b05gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | |||||||
![]() | MBR6080R | 21.3105 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | MBR6080 | Schottky, Polaridad Inversa | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBR6080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 840 MV @ 60 A | 5 Ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||||
150kr60a | 39.4700 | ![]() | 1565 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.33 V @ 150 A | 35 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
![]() | GBPC5004T | 4.0155 | ![]() | 3326 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC5004 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 400 V | 50 A | Fase única | 400 V | |||||||||
![]() | MBR30035CT | 94.5030 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR30035 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1050 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 150a | 650 MV @ 150 A | 8 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | 1N6095 | 14.0145 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N6095 | Schottky | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N6095GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 25 A | 2 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | |||||||
![]() | MBR600150CT | 129.3585 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR600150 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 3 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRF30035 | - | ![]() | 2001 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | MBRF3003 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 150a | 700 MV @ 150 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | 1N1200ar | 4.2345 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1200ar | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1011 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||
S85Q | 15.0400 | ![]() | 597 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1031 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | |||||||||
GKN26/08 | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.55 V @ 60 A | 4 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 25A | - | |||||||||||
![]() | MBRF12035 | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 60A | 700 MV @ 60 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | FR12DR02 | 9.2235 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | FR12DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 800 MV @ 12 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||
![]() | MBR60040CT | 129.3585 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR60040 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1007 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo de 3-SMD | - | Tres Torre | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | - | 1600 V | 600A (DC) | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRTA60080R | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 80 V | 300A | 840 MV @ 300 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
FR85GR02 | 24.1260 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1010 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||
![]() | MBR30035CTR | 98.8100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR30035 | Schottky, Polaridad Inversa | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1089 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 150a | 700 MV @ 150 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
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