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Diodos (1803)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DD241S14KAHPSA1 | - |  | 4773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1400 V | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 mA @ 1400 V | 150 ° C | ||||||||||||||||
 | BAS 40-05 B5003 | - | | 8600 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS 40 | Schottky | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
 | SDT08S60 | - | | 2814 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sdt08s | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 300 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 280pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | DD175N34KHPSA1 | 304.1000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD175N34 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 3400 V | 223A | 2.05 V @ 600 A | 20 Ma @ 3400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
| DD104N18KHPSA2 | 124.7907 | | 4231 | 0.00000000 | Infineon Technologies | DD104N | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 448-DD104N18KHPSA2 | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1800 V | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 Ma @ 1.8 kV | 150 ° C | ||||||||||||||||
 | BAT1502ELE6327XTMA1 | 0.6700 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | 0402 (1006 Métrica) | BAT1502 | PG-TSLP-2-19 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 110 Ma | 100 MW | 0.35pf @ 0V, 1MHz | Schottky - Single | 4v | - | ||||||||||||||||
| D371S45TS02XPSA1 | - | | 3569 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| D1301SH45TS09K02XPSA1 | - | | 2149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS7002LE6327 | 1.0000 | | 2815 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | Schottky | PG-TSLP-2-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C | 70 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | BAS70-04TE6327 | 0.0300 | | 33 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | BAS70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BBY 57-02W E6327 | - | | 5650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-80 | BBY 57 | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 10 V | 4.5 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
| SIDC03D60F6X7SA1 | - | | 6036 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC03 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 6 a | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||
| DDB2U50N08W1RB23BOMA1 | - | | 5444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000839690 | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | |||||||||||||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | - | | 8217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDH05SG60 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 2.3 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 110pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | BB 555-02V E7902 | - | | 1156 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BB 555 | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.3pf @ 28V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 9.8 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
 | IDW20G65C5BXKSA2 | 11.2900 | | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW20G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | BAW79DH6327XTSA1 | 0.2765 | | 7579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-243AA | Baw79 | Estándar | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 500mA | 1.6 v @ 1 a | 1 µs | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||
| BB 659C-02V H7902 | - | | 8167 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BB 659C | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.75pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 15.3 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
 | BA 595 B6327 | - | | 6253 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | BA 595 | PG-SOD323-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 30,000 | 50 Ma | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 7ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| BB 659C-02V E7902 | - | | 7118 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BB 659C | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.75pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 15.3 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
 | BA592E6327 | 0.0700 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 mA | 1.1pf @ 3V, 1MHz | Estándar - Single | 35V | 500mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||||||
 | BAS70-02WE6327 | 0.0300 | | 65 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-80 | Schottky | PG-SCD80-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C | 70 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
| SIDC26D60C8X1SA1 | - | | 2069 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | Sidc26d | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 100 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 100A | - | ||||||||||||||
| SIDC14D120H8X1SA1 | - | | 4299 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D120 | Estándar | Aserrado en papel | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000481450 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.97 v @ 25 a | 20 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||||
 | BAT54-04E6327 | - | | 2834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C | |||||||||||||
 | DD170N16SHPSA1 | 58.7800 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD170N16 | Estándar | BG-PB34SB-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 165a | 9 Ma @ 1600 V | 135 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||
 | DD171N12KHPSA1 | - | | 8567 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Dd171n | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | DD171N12 | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||
| ND89N16KHPSA1 | 131.8300 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | ND89N16 | Estándar | BG-PB20-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 20 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 135 ° C | 89A | - | |||||||||||||||
| BBY5702VH6327XTSA1 | 0.5600 | | 136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BBY57 | PG-SC79-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 10 V | 4.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||
| SIDC07D60E6X1SA1 | - | | 7862 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC07D60 | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 15 A | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - |
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