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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT1504RE6327HTSA1 | - | ![]() | 8799 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT1504 | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 110 Ma | 0.25pf @ 0V, 1MHz | Schottky - Conexión de la Serie de 1 par | 4v | 18OHM @ 5MA, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | IDH09G65C5XKSA1 | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDH09G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 9 A | 0 ns | 310 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9A | 270pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | IDP15E65D2XKSA1 | 1.8500 | ![]() | 354 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDP15E65 | Estándar | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 2.3 V @ 15 A | 47 ns | 40 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | D121K18BXPSA1 | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D121K | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 20 Ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 210A | - | |||||||||||||||
![]() | BBY5103WE6327HTSA1 | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BBY51 | PG-SOD323-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 3.7pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 7 V | 2.2 | C1/C4 | - | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | 12.2500 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW24G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 12A | 360pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BB814E6327GR2HTSA1 | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BB814 | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 22.7pf @ 8V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 18 V | 2.25 | C2/C8 | 200 @ 2v, 100mhz | |||||||||||||||
![]() | BB 659C-02V H7902 | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BB 659C | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.75pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 15.3 | C1/C28 | - | |||||||||||||||
![]() | D121N18BXPSA1 | - | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D121N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 20 Ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 230A | - | |||||||||||||||
![]() | D2520N22TVFXPSA1 | 408.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | DO-200AC, K-PUK | D2520N22 | Estándar | BG-D7526K0-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 75 Ma @ 2200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2520a | - | |||||||||||||||
![]() | DD380N16AHPSA1 | 229.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD380N16 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1600 V | 380A | 1.4 V @ 1500 A | 25 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | DD170N36KHPSA1 | 207.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD170N36 | Estándar | BG-PB34AT-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 3600 V | 170A | 1.82 V @ 600 A | 25 mA @ 3600 V | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | BBY66-05WH6327 | - | ![]() | 7995 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BA885E6327HTSA1 | - | ![]() | 3885 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Ba885e | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 7ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BA895E6327 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 7ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | IDB10S60CATMA2 | - | ![]() | 1915 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDB10 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 140 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 480pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BBY 57-02V E6327 | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BBY 57 | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 5.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 10 V | 4.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||
![]() | BB669 | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 20.9 | C1/C28 | - | |||||||||||||||
![]() | BAV 70W H6327 | 0.0400 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAV 70 | Estándar | Sot-323 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,194 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
![]() | DD340N20SHPSA1 | - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | BG-PB50SB-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 2000 V | 330A | 1 ma @ 2000 V | -40 ° C ~ 135 ° C | ||||||||||||||||
![]() | DD171N12KKHPSA2 | 191.5900 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Dd171n | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD171N12 | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 Ma @ 1200 V | 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | IDW30E65D1 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | PG-TO247-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 30 A | 115 ns | 40 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | |||||||||||||
![]() | IDWD15G120C5XKSA1 | 10.8400 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | IDWD15 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001687164 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 15 a | 0 ns | 124 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 49A | 1050pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | DD750S65K3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD750S65 | Estándar | A-IHV130-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 6500 V | - | 3.5 V @ 750 A | 1100 A @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | ND104N08KHPSA1 | - | ![]() | 4853 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | ND104N | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 15 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH10G65C5XKSA1 | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Idh10g65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 340 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DZ1070N28KHPSA1 | 782.4600 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DZ1070 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2800 V | 1.52 V @ 3400 A | 150 mA @ 2800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1070a | - | |||||||||||||
![]() | IDC08S60CEX1SA2 | - | ![]() | 4755 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | IDC08S60 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000599932 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 310pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X7SA1 | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC06D60 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||
![]() | SIDC32D170HX1SA3 | - | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC32D | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1700 V | 1.8 V @ 50 A | 27 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - |
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