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Diodos (1803)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | D251N18BB01XPSA1 | - |  | 3837 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Montaje | BG-DSW27-1 | D251N | Estándar | BG-DSW27-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000090534 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 30 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | |||||
 | BAS12505WH6327XTSA1 | 0.7700 | | 9514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAS12504 | Schottky | PG-SOT323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 25 V | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 Ma | 150 na @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
 | IDH12G65C6XKSA1 | 6.1100 | | 420 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDH12G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.35 v @ 12 a | 0 ns | 40 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27A | 594pf @ 1v, 1 MHz |
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