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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5359B | 0.1150 |  | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
| BR1002 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1002 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
 | 1N5226BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5226BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||
| 1N5949BT/R | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5949BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| SK15 | 0.1600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| BR5006W | 3.7500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| RBV5008 | 3.9300 | | 620 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| Byd33mbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd33mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | - | ||||||||||
| 1N5392T/R | 0.0400 | | 60 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5392T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| MR760 | 0.7500 | | 350 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | D-6, axial | Estándar | D6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-MR760 | 8541.10.0000 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 900 MV @ 6 A | 25 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 22A | - | ||||||||||
| Fr102bulk | 0.2100 | | 38 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR102BULK | 8541.10.0000 | 600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | MR850T/R | 0.1100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR850T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 v @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| AR2502 | 0.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | Botón de Microdo | Estándar | Botón de Microdo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-AR2502 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 25 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||
| 1N749AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N749AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| RBV3508 | 2.8100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3508 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| KBP202 | 0.8500 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp202 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| RBV3502 | 1.6800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 200 V | 35 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| RBV3510 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| RBV610 | 1.3100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV610 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| RBV1002 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1002 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| FR305T/R | 0.1400 | | 11 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Sf55-bulk | 0.5800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF55-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| FR306T/R | 0.1500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR306T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| HER305T/R | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 15HCB | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-15HCBTR | 8541.10.0000 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
| HER101T/R | 0.0500 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER101T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| Z1190-T/R | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Z1190-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 190 V | |||||||||||||
| 1n5246bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5246BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||
| BR1006 | 0.9800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1006 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1006 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V |
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