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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDS065J008C3 | 2.6300 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Sanan semiconductor | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2L | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 5023-SDS065J008C3 | EAR99 | 8541.10.0000 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 24 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25A | 395pf @ 0V, 1MHz | |
![]() | SDS065J006C3 | 2.4200 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | Sanan semiconductor | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2L | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 5023-SDS065J006C3 | EAR99 | 8541.10.0000 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 310pf @ 0V, 1MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
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