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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBJ10005 | - | ![]() | 8361 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBJ | GBJ10005 | Estándar | GBJ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | GBJ10005DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 v @ 5 a | 10 µA @ 50 V | 10 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||
![]() | Df02m | 0.4300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF02 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Df02mdi | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||
![]() | GBPC3502 | - | ![]() | 9727 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC3502 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | GBPC3502DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 200 V | 35 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||
![]() | Df01m | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF01 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Df01mdi | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||
![]() | Df06m | 0.4900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF06 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Df06mdi | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
![]() | GBU601 | 1.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU601 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Gbu601di | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||
![]() | GBU1004 | 1.5200 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU1004 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 5 a | 5 µA @ 400 V | 10 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||
![]() | KBJ602G | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBJ | Estándar | KBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||
![]() | BAT54LP-7B-2477 | - | ![]() | 7166 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | Schottky | X1-DFN1006-2 | - | 31-bat54lp-7b-2477 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | GBJ1006 | - | ![]() | 7071 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBJ | GBJ1006 | Estándar | GBJ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | GBJ1006DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
![]() | GBU1001 | 1.5200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU1001 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 5 a | 5 µA @ 100 V | 10 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||
![]() | GBU1010 | 1.5200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU1010 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | GBU402 | 1.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU402 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||
![]() | GBU6005 | 1.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||
![]() | KBJ410G | 0.9290 | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBJ | KBJ410 | Estándar | KBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | PBPC803 | - | ![]() | 5892 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrados, PBPC-8 | Estándar | PBPC-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||
![]() | PBPC806 | - | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Caja | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrados, PBPC-8 | Estándar | PBPC-8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | DF1508M | - | ![]() | 6173 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF1508 | Estándar | DFM | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | 1.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||
![]() | DDZ12CS-7 | 0.3000 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.53% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | DDZ12 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 12 ohmios | ||||||||||||||
![]() | DF1501S-T | 0.4800 | ![]() | 204 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF1501 | Estándar | DF-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 100 V | 1.5 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||
![]() | GBPC15005 | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC15005 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | GBPC15005DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 15 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||
![]() | MSB10M-13 | - | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | Estándar | 4-MSB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | SBR40U60CTE-2223 | - | ![]() | 8485 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Super Barrera | Un 262 | - | 31-SBR40U60CTE-2223 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 600 MV @ 20 A | 500 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
DSRHD10-13 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Diodestar ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | Estándar | Minidip 4-T | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C13TQ-7-F | 0.0474 | ![]() | 2011 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.54% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
BAW156Q-7-F-52 | 0.0362 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw156 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | 31-BAW156Q-7-F-52 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 85 V | 160 Ma | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5230BTS-7-F | 0.1300 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5230 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | BAS521LP-7B | - | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BAS521 | Estándar | X1-DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 325 V | 1.1 V @ 100 Ma | 50 ns | 150 na @ 250 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 400mA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | SDM20U30LP-7-2477 | - | ![]() | 8330 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | Schottky | X1-DFN1006-2 | - | 31-SDM20U30LP-7-2477 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 575 MV @ 200 Ma | 3 ns | 150 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 20pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N5408G_HF | - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5408 | Estándar | Do-201ad | descascar | Alcanzar sin afectado | 31-1N5408G_HF | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz |
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