RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDS4153UR-1	-	RFQ	5038	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds4153ur-1			50
Jantxv1n3033d-1	36.2100	RFQ	2562	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3033		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
Jantx1n4496us/tr	13.4862	RFQ	5217	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4496US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 160 V				200 V	1.5 ohmios
Jankca1n5523d	-	RFQ	6635	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n5523d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 V	26 ohmios
Jans1n4122ur-1/TR	45.8600	RFQ	1394	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4122ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200 ohmios
1N5534/TR	1.9950	RFQ	7263	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5534/TR	EAR99	8541.10.0050	477					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.5 V				14 V
Jantxv1n4105dur-1	-	RFQ	3441	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8.5 V				11 V	200 ohmios
SMBJ5346A/TR13	1.6350	RFQ	4511	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5346		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 V	2 ohmios
Jantxv1n6327dus	71.3850	RFQ	8736	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6327dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 9.9 V				13 V	8 ohmios
1N5354Be3/TR13	0.9900	RFQ	6068	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5354		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.250					1.2 v @ 1 a		500 na @ 12.2 V				17 V	2.5 ohmios
Jans1n3154-1	-	RFQ	5581	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 5.5 V				8.8 V	15 ohmios
1N3045B-1	8.1900	RFQ	2074	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3045		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 V	450 ohmios
1N5926CPE3/TR8	1.2000	RFQ	4859	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5926		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
Jantxv1n3036c-1/tr	33.8618	RFQ	8160	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3036C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
CDLL4624C	8.0850	RFQ	5324	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4624C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
Jantx1n6314dus	55.6050	RFQ	5708	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6314		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				3.9 V	23 ohmios
S16-4148/TR7	3.9150	RFQ	3365	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	S16-4148	Estándar		16-soico	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	8 Independiente	75 V	400 mA (DC)	1.2 V @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S4210	102.2400	RFQ	8721	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-S4210	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
CDS975B-1	-	RFQ	6265	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS975B-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jantx1n5712ur-1/tr	43.6200	RFQ	8564	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n5712ur-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		20 V		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
Jans1n6324/tr	107.0906	RFQ	4345	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6324/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 10 V				10 V	6 ohmios
1N5254B/TR	4.4100	RFQ	6096	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5254B/TR	EAR99	8541.10.0050	214					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				27 V	41 ohmios
SMBJ5935C/TR13	2.0850	RFQ	4283	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5935		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
1N4771A	90.2250	RFQ	4911	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4771		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											9.1 V	200 ohmios
1N4148ubca	27.0900	RFQ	1058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N4148	Estándar		UBC	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	75 V	200 MMA	1.2 V @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C
Janhca1n968c	-	RFQ	7325	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N968C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 15.2 V				20 V	25 ohmios
Jan1n4148ubccc/tr	26.3700	RFQ	2145	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/116	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N4148	Estándar		UBC	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n4148ubccc/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	75 V	1A	800 MV @ 100 Ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65 ° C ~ 200 ° C
CDLL4101/TR	4.2028	RFQ	2413	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4101/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.3 V				8.2 V	200 ohmios
1N6664	185.8500	RFQ	6268	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6664	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 10 A	35 ns		200 ° C	10A	-
SMBJ5956A/TR13	1.5600	RFQ	3181	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5956		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 V	1200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²