SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
JAN1N6323D Microchip Technology Jan1n6323d 24.7800
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Enero1n6323d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 7 V 9.1 V 6 ohmios
1N5939D Microchip Technology 1N5939D 8.2950
RFQ
ECAD 5888 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5939 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 29.7 V 39 V 45 ohmios
SMBJ5928BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5928BE3/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 5643 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5928 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.9 V 13 V 7 ohmios
JANS1N4627DUR-1/TR Microchip Technology Jans1n4627dur-1/tr 102.1300
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4627dur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 5 V 6.2 V 1.2 ohmios
1N5530DUR-1/TR Microchip Technology 1N5530DUR-1/TR 16.3950
RFQ
ECAD 1113 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-1N5530dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.1 V 10 V 60 ohmios
1N3006RB Microchip Technology 1N3006RB 36.9900
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3006 10 W DO-4 (DO-203AA) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N3006RB EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 76 V 105 V 45 ohmios
1N4480US Microchip Technology 1N4480US 11.4600
RFQ
ECAD 4610 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4480 1.5 W A, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N4480 USMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 34.4 V 43 V 40 ohmios
JANHCA1N5541C Microchip Technology Janhca1n5541c -
RFQ
ECAD 8977 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N5541C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 19.8 V 22 V 100 ohmios
JANTXV1N4110C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4110c-1/tr 20.6815
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4110C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 12.2 V 16 V 100 ohmios
1N5271B/TR Microchip Technology 1N5271B/TR 2.8861
RFQ
ECAD 5380 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5271B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 76 V 100 V 500 ohmios
CDLL3042A Microchip Technology CDLL3042A 15.3000
RFQ
ECAD 5195 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3042 1 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
1N5922BUR-1 Microchip Technology 1N5922Bur-1 4.0650
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 1N5922 1.25 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6 V 7.5 V 3 ohmios
1N1124 Microchip Technology 1N1124 38.3850
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1124 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JANTXV1N6348/TR Microchip Technology Jantxv1n6348/tr 13.1404
RFQ
ECAD 5809 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXv1N6348/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 76 V 100 V 340 ohmios
JANTXV1N4584A-1 Microchip Technology Jantxv1n4584a-1 34.1700
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4584 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 25 ohmios
CDLL5227C/TR Microchip Technology CDLL5227C/TR 6.9150
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5227C/TR EAR99 8541.10.0050 137 1.1 V @ 200 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
HSM835J/TR13 Microchip Technology HSM835J/TR13 2.0100
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HSM835 Schottky DO-214AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 620 MV @ 8 A 250 µA @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
CDLL4735 Microchip Technology CDLL4735 3.4650
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4735 DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
SMAJ5923BE3/TR13 Microchip Technology Smaj5923be3/tr13 0.6450
RFQ
ECAD 5046 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj5923 3 W DO-214AC (SMAJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 V 3.5 ohmios
JANTXV1N5418US/TR Microchip Technology Jantxv1n5418us/tr 16.2300
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E Estándar D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n5418us/tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N825E3/TR Microchip Technology 1N825E3/TR 5.6100
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N825E3/TR EAR99 8541.10.0050 169 2 µA @ 3 V 6.2 V 15 ohmios
JANTXV1N6630US Microchip Technology Jantxv1n6630us 26.3700
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/590 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N6630 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.4 v @ 1.4 a 50 ns 2 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.4a -
1N1190R Microchip Technology 1N1190R 74.5200
RFQ
ECAD 3382 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1190 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1190RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
SMBJ4735/TR13 Microchip Technology SMBJ4735/TR13 0.8700
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ4735 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
JAN1N3890AR Microchip Technology Jan1n3890ar 333.0150
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/304 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-203AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 V @ 20 A 150 ns -65 ° C ~ 175 ° C 20A 115pf @ 10V, 1 MHz
JAN1N6490US Microchip Technology Jan1n6490us -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sq-melf, un 1N6490 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
UZ7818 Microchip Technology UZ7818 468.9900
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje Semental 10 W Axial - Alcanzar sin afectado 150-UZ7818 EAR99 8541.10.0050 1 20 µA @ 12.9 V 18 V 3.5 ohmios
HSM550GE3/TR13 Microchip Technology HSM550GE3/TR13 1.1700
RFQ
ECAD 1141 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AB, Ala de Gaviota SMC HSM550 Schottky DO-215AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 650 MV @ 5 A 250 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
1N1128RA Microchip Technology 1N1128RA 38.3850
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1128 Polaridad Inversa Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.2 v @ 10 a 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
1N4737PE3/TR8 Microchip Technology 1N4737PE3/TR8 0.9150
RFQ
ECAD 8523 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4737 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock