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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n3824c-1	21.9600	RFQ	1213	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3824		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
CDLL4579A/TR	29.8800	RFQ	5586	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4579A/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50 ohmios
Jantxv1n5527d-1	29.2200	RFQ	9082	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5527		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.8 V				7.5 V	35 ohmios
DSB5821	-	RFQ	3808	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	DSB5821	Schottky			descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 3 A		100 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Jantx1n4616c-1/tr	12.1429	RFQ	9947	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4616C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 1 V				2.2 V	1300 ohmios
1N5938CE3/TR13	-	RFQ	5890	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5938		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
1N6858-1	8.1150	RFQ	5191	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6858	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		650 MV @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	4.5pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n4124dur-1/tr	32.0663	RFQ	9824	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4124DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
Jantx1n980d-1/tr	8.7248	RFQ	8045	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N980		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N980D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
CD5236	1.6350	RFQ	1998	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5236	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 6 V				7.5 V	6 ohmios
1N6762R	205.5600	RFQ	6460	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA	1N6762	Estándar		Un 254AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	50 V	12A	1.05 v @ 12 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-
Jan1n6858ur-1	-	RFQ	2296	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		650 MV @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	4.5pf @ 0V, 1 MHz
CDLL6633	14.7300	RFQ	9200	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL6633	EAR99	8541.10.0050	1
1N4908	25.7700	RFQ	4122	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4908		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											12.8 V	50 ohmios
Jantx1n3343b	-	RFQ	2818	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 V	40 ohmios
Jantx1n991b-1	-	RFQ	1770	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 137 V				180 V	2200 ohmios
Jantxv1n5528b-1	-	RFQ	6537	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.5 V				8.2 V	40 ohmios
Jantxv1n5552	17.0850	RFQ	3832	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5552	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
UFR3020R	56.6250	RFQ	5857	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 200 V	175 ° C (Máximo)	30A	140pf @ 10V, 1 MHz
Jan1N4120-1/TR	3.7772	RFQ	5785	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4120-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
Jankca1n4578a	-	RFQ	5388	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4578A	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
Jans1n6333cus/tr	527.7150	RFQ	5675	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6333cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V				24 V	24 ohmios
MSCDC600A120AG	658.7500	RFQ	1744	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	Módulo	MSCDC600	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-MSCDC600A120AG	EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	600A	1.8 V @ 600 A	0 ns	2.4 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
1N5930d	7.5450	RFQ	5664	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5930		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
Jantxv1n976dur-1/tr	21.6258	RFQ	8515	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n976dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 33 V				43 V	93 ohmios
CDLL4116	3.6300	RFQ	6041	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4116		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 18.3 V				24 V	150 ohmios
CDLL5532A	6.4800	RFQ	7195	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5532		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.5 V				12 V	90 ohmios
R3720	59.0400	RFQ	8005	Tecnología de Microchip	SR37	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 V @ 200 A			-65 ° C ~ 200 ° C	85a	-
1N756A-1	2.1600	RFQ	6537	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N756		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				8.2 V	8 ohmios
1N5917B/TR	2.8462	RFQ	9614	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.25 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5917B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²