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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4752PE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4752 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n5531dur-1/tr | 55.0221 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5531dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | ||||||||||
![]() | 1 PMT4116/TR7 | 0.9600 | ![]() | 4827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4116 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.25 V | 24 V | 150 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL6316/TR | 12.2227 | ![]() | 5939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6316/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 16 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantx1n4112-1/tr | 5.3732 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4112-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||
Jan1N4627C-1 | 9.5850 | ![]() | 9012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4627 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | ||||||||||
Jan1n3018d-1 | 24.4650 | ![]() | 4808 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3018 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1n4577aur-1 | 9.9150 | ![]() | 4550 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4577 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||
Jantxv1n4957us | 16.1250 | ![]() | 9414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4957 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n3157ur-1/tr | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3157ur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | CD5225B | 2.2743 | ![]() | 9594 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5225B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | ||||||||||
![]() | Jans1n5712ubca | 159.5850 | ![]() | 3869 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Jans1n4988cus | 462.0150 | ![]() | 1529 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4988cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 136.8 V | 180 V | 450 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n3021cur-1/TR | 29.0339 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N3021Cur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||
![]() | Smaj5918e3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 8817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5918 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 4 ohmios | |||||||||
![]() | 1N3260 | 151.2750 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3260 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3260 MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||
![]() | Jantx1n5543dur-1 | 47.2200 | ![]() | 5206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5543 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | |||||||||
![]() | 1N4694UR-1 | 5.0850 | ![]() | 6974 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4694 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | |||||||||||
![]() | SMBJ5936C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5936 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||
Jan1n6309dus | 48.9150 | ![]() | 8564 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6309 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||
![]() | SMBJ5935A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5935 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||
![]() | SMBJ5349B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5349 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 8.6 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||
![]() | 1N3663R | 41.6850 | ![]() | 6995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Presiona Ajuste | DO-208AA | Polaridad Inversa Estándar | DO-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3663R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||
![]() | CD4577 | 9.2100 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4577 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||
1N3019Bur-1 | 14.7300 | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1N3019 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||
![]() | SMBJ4762A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 9700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4762 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n6776 | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | Estándar | Un 257 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.15 v @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 800 MV | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
![]() | JTXM19500/483-02 | 581.0550 | ![]() | 6259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | JTXM19500 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CDS4148UR-1 | - | ![]() | 7501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-cds4148ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5951AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 380 ohmios |
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