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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N2817B	94.8900	RFQ	9353	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2817		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 14.4 V				19 V	2.2 ohmios
Jan1n1124ra	483.2250	RFQ	8441	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/260	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		2.2 v @ 10 a		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C		-
Jans1n4614cur-1/tr	-	RFQ	8104	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4614cur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 V	1200 ohmios
1N4467	7.2750	RFQ	9574	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N4467		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N4467MS	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		200 na @ 9.6 V				12 V	7 ohmios
R409	102.2400	RFQ	8672	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R409			1
Jantxv1n5969dus	-	RFQ	6364	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		1 ma @ 4.74 V				6.2 V	1 ohmios
Apt60d20bg	3.6300	RFQ	2833	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	Apt60d20	Estándar		To-247 [b]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 60 A	31 ns	250 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
Jantx1n6309	-	RFQ	4209	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
1N4739ur-1	3.4650	RFQ	4064	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4739UR-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 V	5 ohmios
Jan1N4484US/TR	10.9650	RFQ	5096	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4484US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 49.6 V				62 V	80 ohmios
1N5233BUR-1	2.8650	RFQ	6031	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5233		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
1N976B	2.0700	RFQ	1389	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N976		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N976BMS	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93 ohmios
CDLL3041	15.3000	RFQ	4084	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3041		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V				75 V	175 ohmios
Jantxv1n4975us/tr	14.2975	RFQ	4090	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4975us/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 38.8 V				51 V	28 ohmios
Jantx1n973bur-1	7.4100	RFQ	4664	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N973		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
ST6080A	78.9000	RFQ	3982	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	ST60	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150 ST6080A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	800 V	20A	1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Jan1n4974us/tr	8.2992	RFQ	3916	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4974US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
Jans1n6489d	-	RFQ	7055	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		4 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jan1n3049Bur-1/TR	-	RFQ	9691	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-				150-ENERO1N3049BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 121.6 V				160 V	1100 ohmios
Jantx1n4472d	38.2050	RFQ	4154	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4472		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 16 V				20 V	12 ohmios
Jantx1n4616cur-1	23.1600	RFQ	2551	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4616		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 1 V				2.2 V	1300 ohmios
CD4579A	17.0100	RFQ	6975	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4579A	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
1N5275Bur-1	5.1900	RFQ	7813	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5275		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 106 V				140 V	1300 ohmios
Jan1N4101-1/TR	3.7772	RFQ	8127	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N4101-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.3 V				8.2 V	200 ohmios
Jans1n4483d	258.8850	RFQ	4931	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 44.8 V				56 V	70 ohmios
Jans1n6340d	350.3400	RFQ	9213	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6340d	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 36 V				47 V	75 ohmios
Jantxv1n3033bur-1	18.0150	RFQ	5799	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3033		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
Jantxv1n4624d-1/tr	16.5186	RFQ	6787	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4624d-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
Jan1n3022dur-1	40.7250	RFQ	9319	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3022		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
1N5755D	4.6800	RFQ	8197	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5755		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 43 V				62 V	215 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²