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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5525C/TR	12.3900	RFQ	6554	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5525C/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				6.2 V	30 ohmios
Jan1N4570A-1/TR	3.6150	RFQ	9313	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4570A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
CDS5711-1	-	RFQ	3252	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	50
CDS3023B-1	-	RFQ	8055	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3023B-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N3163	195.7200	RFQ	8001	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3163	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3163MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
1N4249	-	RFQ	6969	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4248	-	RFQ	1741	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N6701	23.6550	RFQ	9666	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N6701				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
1 PMT5936B/TR13	2.2200	RFQ	8291	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5936		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
Jan1n3330b	-	RFQ	2378	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3330		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	5 ohmios
1N5352A/TR8	-	RFQ	2988	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5352		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 10.8 V				15 V	2.5 ohmios
Jantxv1n6347us	22.3050	RFQ	4623	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6347		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 69 V				91 V	270 ohmios
CDLL5278A/TR	3.7800	RFQ	9606	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5278A/TR	EAR99	8541.10.0050	250					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 123 V				170 V	1900 ohmios
Jans1n4994c	-	RFQ	9740	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 251 V				330 V	1175 ohmios
CDLL4754	3.4650	RFQ	8147	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4754			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
UES804	65.9400	RFQ	1234	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 V @ 50 A	50 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
Jantxv1n3034dur-1/tr	50.5932	RFQ	4033	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3034DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
Jan1n6631/tr	13.4100	RFQ	9182	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	E, axial		Estándar			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N6631/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1100 V		1.6 v @ 1 a	60 ns	2 µA @ 1100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.4a	-
SBR6045	126.8400	RFQ	2583	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	SBR6045	Schottky			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 60 A		2 Ma @ 45 V		60A	-
1N5358Be3/TR8	2.6850	RFQ	1995	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5358		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 15.8 V				22 V	3.5 ohmios
1N5918P/TR8	1.8600	RFQ	1896	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5918		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	4 ohmios
1 PMT5933/TR13	2.2200	RFQ	4542	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5933		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 V	17.5 ohmios
Jantx1n750dur-1	15.2100	RFQ	6804	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N750		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	19 ohmios
R43120TS	59.8350	RFQ	5952	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	R43120	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	R43120TSMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1 PMT5927A/TR13	2.2200	RFQ	3636	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5927		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	6.5 ohmios
SMBJ4746/TR13	0.8700	RFQ	9496	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4746		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
Jantxv1n4495cus/tr	45.2850	RFQ	5164	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jantxv1n4495cus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 144 V				180 V	1300 ohmios
1N4736A3	3.3300	RFQ	3913	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1n4736age3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
S16-4150/TR13	3.6150	RFQ	5278	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	S16-4150	Estándar		16-soico	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	8 Independiente	50 V	400 mA (DC)	1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Jan1n2819b	-	RFQ	4257	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/114	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2819		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 16.7 V				22 V	2.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²