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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1 PMT5930C/TR13 | - |  | 1735 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5930 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n3029bur-1 | 14.5800 | | 1858 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3029 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||
 | 1N6489 | 10.9950 | | 4268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N6489 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n3049c-1 | - | | 1603 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Jantx1n486b/tr | 112.8004 | | 5440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | Polaridad Inversa Estándar | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N486B/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 225 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 225 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||
 | Jantx1n6337cus/tr | 39.9450 | | 8409 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Jantx1n6337cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 27 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n2804rb | - | | 7920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2804 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | ||||||||||
| UZ7890 | 468.9900 | | 1544 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7890 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 64.8 V | 90 V | 75 ohmios | ||||||||||||
 | SMBJ4748AE3/TR13 | 0.4350 | | 2104 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4748 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n5527dur-1 | 47.2200 | | 2432 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5527 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | |||||||||
| CD1A80 | 10.5750 | | 4896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD1A80 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 750 MV @ 1 A | 100 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||
| Jantx1n4108cur-1 | 31.4400 | | 2969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4108 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.7 V | 14 V | 200 ohmios | |||||||||
 | CD4756A | 1.8354 | | 4043 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4756A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||
 | 1N4958US | 8.2200 | | 1937 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4958 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 2 ohmios | |||||||||
| 1 PMT5947AE3/TR7 | 0.7350 | | 9629 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4474 | 8.5350 | | 3648 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4474 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16 ohmios | |||||||||
| Janhca1n4112 | 13.2734 | | 6522 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4112 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.67 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | 1N4574A-1/TR | 29.5200 | | 4838 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4574A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||
| CDLL4135C/TR | 7.2086 | | 3735 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | - | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4135C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
| 1N6930UTK1AS | 259.3500 | | 3851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6930UTK1AS | 1 | |||||||||||||||||||||||
| UPR60/TR7 | 8.2350 | | 9948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPR60 | Estándar | Powermite | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 2 a | 30 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||
| Jantxv1n2985rb | - | | 3992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n4576a-1 | 7.2450 | | 8753 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4576 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||
| 1N2794 | 74.5200 | | 4593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2794 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.19 v @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 5A | - | |||||||||
| Jantx1n977cur-1/tr | 13.9384 | | 2377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N977 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N977CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios | |||||||||
 | 1N5342AE3/TR13 | 0.9900 | | 4731 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5342 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||
| Jantx1n4977us/tr | 11.2200 | | 6836 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-JantX1N4977US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | ||||||||||||
| CDLL3051B | 15.3000 | | 6991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3051B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.7 V | |||||||||||||
| Jan1n6349us | 15.9300 | | 1372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6349 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 84 V | 110 V | 500 ohmios | ||||||||||
| 1N5348E3/TR13 | 0.9900 | | 4272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5348 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5 ohmios |
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