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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Msasc100h45hr	-	RFQ	3679	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 1		Schottky		Thinkey ™ 1	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	650 MV @ 80 A			-65 ° C ~ 150 ° C	100A	-
1N5357Be3/TR13	0.9900	RFQ	2784	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5357		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.250			1.2 v @ 1 a		500 na @ 14.4 V				20 V	3 ohmios
CDLL5539D	16.2000	RFQ	5375	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5539D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 17.1 V				19 V	100 ohmios
1N829AE3	13.6200	RFQ	7127	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N829AE3	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jans1n4979dus	429.5200	RFQ	5121	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4979dus	EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n4991d	290.3700	RFQ	3693	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 V				240 V	650 ohmios
Jans1n4988	103.9500	RFQ	2449	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 136.8 V				180 V	450 ohmios
Jans1n5619us/tr	78.0150	RFQ	6097	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/429	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		A, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n5619us/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.6 v @ 3 a	250 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Jantx1n6873utk2cs/tr	413.4000	RFQ	1677	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6873UTK2CS/TR			100
1N2128R	74.5200	RFQ	8389	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Polaridad Inversa Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2128R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
Jantx1n759dur-1	17.8950	RFQ	8669	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N759		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9 V				12 V	30 ohmios
CDLL985B/TR	2.7664	RFQ	8945	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL985B/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 76 V				100 V	500 ohmios
1 PMT4116CE3/TR13	0.4950	RFQ	5482	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4116		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150 ohmios
1N6012D	5.1900	RFQ	3546	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6012		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 25 V				33 V	88 ohmios
UPR40E3/TR7	1.0650	RFQ	9061	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPR40	Estándar		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.25 v @ 1 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1N5373BE3/TR8	2.6850	RFQ	1221	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5373		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 49 V				68 V	44 ohmios
1N4150ubca	25.3950	RFQ	7132	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Estándar		UBC	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4150ubca	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V	1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	2.5pf @ 0V, 1 MHz
Jantx1n5620	5.9200	RFQ	25	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5620	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
1N6320U/TR	13.9916	RFQ	7057	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6320U/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 4 V				6.8 V	3 ohmios
SMBJ5926BE3/TR13	0.8850	RFQ	4404	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5926		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
SMBJ4762AE3/TR13	0.4350	RFQ	9031	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4762		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 V	200 ohmios
Jan1n3021bur-1/TR	11.4247	RFQ	8242	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3021BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8 ohmios
Jan1n6353us	-	RFQ	8900	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 122 V				151 V	1200 ohmios
CDLL5274A/TR	3.7800	RFQ	9586	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5274A/TR	EAR99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 94 V				130 V	1100 ohmios
1N3274	151.2750	RFQ	7893	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3274	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3274MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
1N3038B-1/TR	8.3700	RFQ	3626	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N3038		1 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3038B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	113			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
1N4697-1	4.8300	RFQ	9109	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4697-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7.6 V				10 V
Jans1n4966dus	460.2000	RFQ	3241	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
1N3271	151.2750	RFQ	7103	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3271	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3271MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
Jantxv1n3340rb	-	RFQ	9747	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²