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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4699E3	4.1250	RFQ	4037	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4699E3	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V				12 V
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			5 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5359B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5 ohmios
1N2972RB	-	RFQ	6032	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2972		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
1N825AE3/TR	4.4550	RFQ	9836	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N825AE3/TR	EAR99	8541.10.0050	212					2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jantx1n972dur-1	19.4700	RFQ	1865	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N972		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 23 V				30 V	49 ohmios
CDLL4684/TR	3.0989	RFQ	4259	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4684/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 V
1N4746APE3/TR12	0.9450	RFQ	9641	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4746		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
1N3821A-1/TR	5.9584	RFQ	2933	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N3821A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Smaj4748e3/tr13	0.6450	RFQ	9398	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4748		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
Jantxv1n6315	14.0700	RFQ	6498	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6315		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				4.3 V	20 ohmios
Jans1n4133-1/tr	31.6700	RFQ	9470	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4133-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.2 V				87 V	1 ohmios
Jan1n6630	13.2600	RFQ	5811	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	E, axial	1N6630	Estándar			descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	900 V	1.4 v @ 1.4 a	50 ns	2 µA @ 900 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	-
1N5536d	5.6850	RFQ	2965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5536d	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100 ohmios
Jan1N3023CUR-1/TR	29.0339	RFQ	1440	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3023CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
Jantx1n3613	5.4600	RFQ	7590	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/228	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N3613	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.1 v @ 1 a		1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4749ur	3.3300	RFQ	3141	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4749ur	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	25 ohmios
CDLL968B	2.8650	RFQ	3526	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL968		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
SMBG5344CE3/TR13	1.4400	RFQ	4326	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5344		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		10 µA @ 5.9 V				8.2 V	1.5 ohmios
Jantx1n4549rb	-	RFQ	2307	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 MV				3.9 V	0.16 ohmios
1N4485US	11.3550	RFQ	6443	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4485		1.5 W	A, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N4485 USMS	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 54.4 V				68 V	100 ohmios
Jan1n2824b	-	RFQ	2815	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2824		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2 ohmios
Jantx1n3825aur-1	15.9000	RFQ	6421	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3825		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
1N967B-1	2.8950	RFQ	3823	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N967B-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
Jans1n4966cus/tr	368.3100	RFQ	3739	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jans1n4966cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
CDLL4583	18.4950	RFQ	5778	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4583		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25 ohmios
Jan1n3826aur-1	13.8750	RFQ	9196	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3826		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jankca1n4103	-	RFQ	9721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4103	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.92 V				9.1 V	200 ohmios
Jantxv1n7054ur-1	12.8250	RFQ	4727	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N4753AUR	3.4650	RFQ	8579	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N4753		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
Jantx1n6329dus	57.9000	RFQ	7804	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6329dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 12 V				16 V	12 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²