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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CD4575A	5.4150	RFQ	7752	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4575A	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
1N5944C	6.7950	RFQ	2222	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5944		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 V	100 ohmios
1N4509	42.4950	RFQ	6112	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N4509	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
1N3294ar	103.2300	RFQ	6680	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	1N3294ARMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 200 a		13 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Apt60s20b2ctg	7.9700	RFQ	2656	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Variatura a 247-3	Apt60	Schottky		T-Max ™ [B2]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	75a	900 MV @ 60 A	55 ns	1 ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Jantx1n823aur-1	6.5100	RFQ	2721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n823aur-1	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jantx1n5623	10.2450	RFQ	6198	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/429	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5623	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.6 v @ 3 a	500 ns	500 na @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 12V, 1 MHz
1N1301	45.3600	RFQ	6859	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N1301	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	37a	-
Jans1n4476us	74.0850	RFQ	1009	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 24 V				30 V	20 ohmios
Jans1n4134dur-1	147.2700	RFQ	7721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 69.2 V				91 V	1200 ohmios
CDLL5538B	6.4800	RFQ	6403	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5538		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
Jan1n3044dur-1	40.7250	RFQ	5332	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3044		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 V	350 ohmios
1N4570A	3.7800	RFQ	1576	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4570A	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3824A-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jan1n3028bur-1	12.7350	RFQ	4860	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3028		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
Jan1n4616ur-1	6.5550	RFQ	6734	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4616		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				2.2 V	1300 ohmios
SMAJ5938CE3/TR13	0.6450	RFQ	3992	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5938		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
Jantxv1n4467c	30.7500	RFQ	9659	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4467		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		200 na @ 9.6 V				12 V	7 ohmios
SMBG5372CE3/TR13	1.4400	RFQ	3253	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5372		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V				62 V	42 ohmios
CD5377	5.7150	RFQ	2103	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			5 W	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5377	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		500 na @ 69.2 V				91 V	75 ohmios
1N6658	242.5050	RFQ	4915	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/616	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA	1N6658	Estándar		Un 254	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	15A	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
1N4963US	7.6500	RFQ	1208	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4963		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5 ohmios
1 PMT4625C/TR13	1.5150	RFQ	7062	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4625		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				5.1 V	1500 ohmios
CDLL748A	2.8650	RFQ	8163	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL748		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				3.9 V	23 ohmios
CD965A	1.6950	RFQ	1179	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD965A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
Jans1n4996us/tr	-	RFQ	9828	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4996us/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
1N5819-1/TR	8.1900	RFQ	5353	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5819	Schottky		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5819-1/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		340 MV @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	70pf @ 5V, 1MHz
1N5924CPE3/TR8	1.2000	RFQ	1840	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5924		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 V	4 ohmios
1N4103-1/TR	2.3408	RFQ	4563	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4103-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
SMBJ4750A/TR13	0.8850	RFQ	8590	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4750		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²