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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
Jantxv1n4475c	31.6350	RFQ	2615	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4475		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 21.6 V						27 V	18 ohmios
1N4616ur	3.3000	RFQ	8304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4616		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						2.2 V	1300 ohmios
S50310	158.8200	RFQ	6051	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S50310			1
1N5550	6.0400	RFQ	833	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5550	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N6323US/TR	14.8200	RFQ	7330	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6323US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 7 V						9.1 V	6 ohmios
Jantxv1n3043d-1/tr	32.2392	RFQ	9409	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3043D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V						91 V	250 ohmios
SMBJ5946A/TR13	1.5600	RFQ	5842	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5946		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V						75 V	140 ohmios
1N935	5.5350	RFQ	6991	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													9 V	20 ohmios
Jan1n6942utk3as	-	RFQ	6432	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Thinkey ™ 3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		460 MV @ 50 A		5 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150a	7000PF @ 5V, 1MHz
Jan1n944bur-1	-	RFQ	9598	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						11.7 V	30 ohmios
Jantxv1n3326b	-	RFQ	9083	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 27.4 V						36 V	3.5 ohmios
1N5953A	3.4050	RFQ	4248	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5953		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 114 V						150 V	600 ohmios
Jans1n4494cus	283.8300	RFQ	7726	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4494cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 128 V						160 V	1000 ohmios
1N5344C/TR12	-	RFQ	2224	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5344		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		10 µA @ 5.9 V						8.2 V	1.5 ohmios
CD4745A	1.8354	RFQ	8831	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4745A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 12.2 V						16 V	16 ohmios
Jantxv1n6315us	21.4200	RFQ	7892	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6315		500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V						4.3 V	18 ohmios
1N2999A	36.9900	RFQ	3825	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2999		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 42.6 V						56 V	16 ohmios
CDLL5542B/TR	5.9052	RFQ	1646	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5542B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.6 V						24 V	100 ohmios
Jans1n4566aur-1	163.6800	RFQ	2396	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 V	200 ohmios
CDLL5274D	8.4150	RFQ	6359	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5274D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 94 V						130 V	1100 ohmios
S2580	33.4500	RFQ	2358	Tecnología de Microchip	S25	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	S258	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	25A	-
MSCDC300A170AG	726.2600	RFQ	4268	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	Módulo	MSCDC300	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-MSCDC300A170AG	EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	Conexión de la Serie de 1 par	1700 V	300A	1.8 V @ 300 A	0 ns	1.2 Ma @ 1700 V	-40 ° C ~ 175 ° C
1 PMT5937A/TR13	2.2200	RFQ	5334	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5937		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
CDLL5276D/TR	8.5950	RFQ	4849	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5276D/TR	EAR99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 108 V						150 V	1500 ohmios
KV2123-450A/TR	-	RFQ	5943	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	KV2123			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-KV2123-450A/TR	EAR99	8541.10.0040	1										0.55pf @ 20V, 1MHz	Soltero	22 V			-	1000 @ 4V, 50MHz
Jan1n3051cur-1	-	RFQ	8125	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1 PMT5951E3/TR13	0.7350	RFQ	1061	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5951		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V						120 V	380 ohmios
Jantx1n975cur-1	15.5700	RFQ	5462	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N975		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 30 V						39 V	80 ohmios
CDLL980B/TR	2.7664	RFQ	4797	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL980B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V						62 V	185 ohmios
Jantx1n5532d-1/tr	17.3964	RFQ	3384	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5532D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.8 V						12 V	90 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²