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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n4480cus/tr	28.3050	RFQ	6694	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Jantx1n4480cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V				43 V	40 ohmios
Jan1n2970rb	-	RFQ	3888	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2970		10 W	DO-213AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		150 µA @ 5.2 V				6.8 V	1.2 ohmios
Jantx1n4987	13.6800	RFQ	4714	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4987		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 121.6 V				160 V	350 ohmios
Jantxv1n3043d-1/tr	32.2392	RFQ	9409	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3043D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 V	250 ohmios
Jantx1n6074/tr	15.7350	RFQ	4791	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/503	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A-pak	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6074/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	2.04 v @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 155 ° C	850 mm	-
1N5921PE3/TR12	0.9150	RFQ	3020	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5921		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 V	2.5 ohmios
CDLL748A	2.8650	RFQ	8163	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL748		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				3.9 V	23 ohmios
1N3294ar	103.2300	RFQ	6680	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	1N3294ARMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.1 v @ 200 a		13 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
1N1347A	45.3600	RFQ	8327	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1347	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
1N5752B	1.8600	RFQ	2970	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5752		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 33 V				47 V	170 ohmios
Jan1n5543dur-1/TR	32.1993	RFQ	7486	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n5543dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V				25 V	100 ohmios
Jans1n4104-1/tr	31.6700	RFQ	9943	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4104-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.6 V				10 V	200 ohmios
1N6005D	5.1900	RFQ	7725	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6005		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 12 V				16 V	36 ohmios
1N5930BE3/TR13	-	RFQ	4484	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5930		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
HSM540J/TR13	1.5150	RFQ	4092	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					HSM540				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
1 PMT4111C/TR7	1.2450	RFQ	1539	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4111		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.92 V				17 V	100 ohmios
UPS840/TR13	3.2200	RFQ	1	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	PowerMite®3	UPS840	Schottky		Powermit 3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	450 MV @ 8 A		5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	8A	-
Jantx1n6621us	14.4600	RFQ	9978	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6621	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	440 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 10V, 1 MHz
1N5355A/TR8	2.6250	RFQ	4852	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5355		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 13 V				18 V	2.5 ohmios
SMBJ4758A/TR13	0.8850	RFQ	6209	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4758		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
Jantxv1n4496cus	45.1350	RFQ	6628	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4496cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 160 V				200 V	1500 ohmios
1N5370BE3/TR8	2.6850	RFQ	8265	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5370		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V				56 V	35 ohmios
CDLL6352	14.6400	RFQ	3736	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL6352	EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n6622us	15.0300	RFQ	8689	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6622	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	660 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 660 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 10V, 1 MHz
1 PMT5947BE3/TR7	-	RFQ	1706	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
Jantxv1n978c-1	13.2450	RFQ	4464	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N978		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 39 V				51 V	125 ohmios
Janhca1n4126d	-	RFQ	4473	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4126D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 38.76 V				51 V	300 ohmios
Jan1N4461DUS	33.4500	RFQ	3582	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4461		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		5 µA @ 4.08 V				6.8 V	2.5 ohmios
CD937A	23.0250	RFQ	8674	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD937A	EAR99	8541.10.0050	1									9 V	30 ohmios
Jans1n4472us	82.9650	RFQ	7453	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2266-JANS1N4472US	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 16 V				20 V	12 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²