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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n967dur-1/tr	13.7788	RFQ	9233	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N967DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
Jans1n4623ur-1/tr	65.1200	RFQ	2766	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4623ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		4 µA @ 2 V				4.3 V	1.6 ohmios
Jan1N4570A-1	3.4650	RFQ	6825	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4570		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
CDLL4772A	121.3350	RFQ	5658	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4772		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	200 ohmios
1N5712ur-1/TR	12.3000	RFQ	6247	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5712ur-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		16 V		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
1N5367C/TR12	3.3900	RFQ	6621	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5367		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 31 V				43 V	20 ohmios
Jans1n4966	80.1900	RFQ	4715	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
Jans1n5622us	89.5500	RFQ	5056	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1.3 V @ 3 A	2 µs		-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jantx1n6642ubcc	29.5500	RFQ	9155	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/578	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N6642	Estándar		UB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
Jantxv1n4554b	-	RFQ	4852	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 2 V				5.1 V	0.14 ohmios
Mshv40n	-	RFQ	9426	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial		Estándar		Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-MSHV40N	EAR99	8541.10.0070	100	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		6500 V		3.8 V @ 10 Ma	800 ns	1 µA @ 6500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	100mA	-
Jan1n6657r	213.6600	RFQ	5890	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar		Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-	15A	150pf @ 10V, 1 MHz
Jan1n6327dus	38.2200	RFQ	5428	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6327dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 9.9 V				13 V	8 ohmios
UTR60/TR	9.4350	RFQ	7831	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UTR60/TR	EAR99	8541.10.0070	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 V @ 200 Ma	400 ns	3 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	40pf @ 0V, 1 MHz
R34150	49.0050	RFQ	9506	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R34150			1
1N703	2.0700	RFQ	6406	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N703		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							50 µA @ 3.4 V				3.4 V	55 ohmios
Jantx1n4621cur-1	23.1600	RFQ	6936	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4621		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
1N821A	3.9200	RFQ	827	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N821		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
1N5541D	5.6850	RFQ	1850	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5541D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19.8 V				22 V	100 ohmios
Jans1n945bur-1	-	RFQ	9743	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
1N5930P/TR12	1.8600	RFQ	7213	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5930		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
1N7037CCU1	169.4100	RFQ	3078	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N7037	Schottky		U1 (SMD-1)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	35a	1.22 v @ 35 a		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Jantx1n5529b-1/tr	6.9958	RFQ	1902	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-204AH (Vidrio DO-35)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5529B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 8.2 V				9.1 V	45 ohmios
1N6624/TR	12.0450	RFQ	6611	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6624/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		990 V		18 V @ 500 Ma	60 ns	500 na @ 900 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 10V, 1 MHz
1 PMT5940C/TR13	2.7600	RFQ	7110	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5940		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53 ohmios
1 PMT5938A/TR13	2.2200	RFQ	2912	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5938		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
1N823E3	4.4700	RFQ	3393	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
Jantx1n991b-1	-	RFQ	1770	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 137 V				180 V	2200 ohmios
1N4625D-1/TR	6.7500	RFQ	9706	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4625D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	140					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V				5.1 V	1500 ohmios
SMBG5387CE3/TR13	1.4400	RFQ	8317	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5387		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 137 V				190 V	450 ohmios

2000+
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Unidad de producto estándar
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Fabricantes mundiales
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30,000,000

2800+

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