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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N938B-1/TR | 8.9700 |  | 6378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N938B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 V | 20 ohmios | |||||||||||||
| Jantxv1n4132d-1/tr | 25.8153 | | 4845 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4132D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 62.4 V | 82 V | 800 ohmios | ||||||||||
| 1N825-1E3/TR | 8.5950 | | 1888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N825-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||
 | CD5196 | 5.2269 | | 7408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5196 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||
 | Jantx1n4578aur-1 | 22.1550 | | 5444 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4578 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50 ohmios | ||||||||||
 | CDLL5242/TR | 2.7132 | | 3966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5242/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||
| CDLL3155A/TR | 15.6600 | | 2240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.76% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3155A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | |||||||||||
| Jan1n4113-1 | 4.1100 | | 6377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4113 | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.5 V | 19 V | 150 ohmios | ||||||||||
 | Jan1n4984dus | 41.7000 | | 7916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4984 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | |||||||||
 | 1N4745ur | 3.4650 | | 2250 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4745ur | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n5622/tr | 11.1600 | | 6172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5622/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||
 | 1N5350CE3/TR8 | 3.3900 | | 7348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5350 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.4 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||
| 1N5941P/TR12 | 1.8600 | | 3679 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5941 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n4133ur-1 | 11.2500 | | 1449 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4133 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.2 V | 87 V | 1000 ohmios | |||||||||
| CD6317 | 2.1014 | | 2951 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6317 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
| 1N5531B/TR | 1.9950 | | 4992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5531B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | |||||||||||
 | 1N968B/TR | 2.0083 | | 9483 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N968B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||
| Jan1n6633cus | - | | 3813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
| 1N5537Bur-1/TR | 6.6600 | | 1365 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 142 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | 1N6895UTK1 | 259.3500 | | 3368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6895UTK1 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | CDLL3029A | 15.3000 | | 7778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3029 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n6353c | - | | 2764 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 151 V | 1200 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n2982b | - | | 5868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 4 ohmios | |||||||||||
| Janhca1n4117c | - | | 1859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4117C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | |||||||||||
| CDLL970A | 2.8650 | | 3747 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL970 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | |||||||||
| Jan1N555550U/TR | 10.9200 | | 8125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5550US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
 | 1N752A-1/TR | 2.0748 | | 2855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N752A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n4099cur-1/tr | 20.3889 | | 9244 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4099CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4966dus/tr | 429.6722 | | 6560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4966dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n7050ur-1/tr | 10.9650 | | 6974 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N7050UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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