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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD821 | 3.5850 | ![]() | 4888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.83% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD821 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | CDLL4566AE3 | 7.9950 | ![]() | 5049 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4566AE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N6015A | 1.9950 | ![]() | 4900 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6015 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 43 V | 180 ohmios | |||||||||
Jantxv1n4371d-1 | 19.8300 | ![]() | 2700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4371 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||
1N5952Bur-1 | 7.5750 | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1N5952 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5812 | 62.2350 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N5812 | Estándar | DO-203AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 20 A | 15 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||
Jantxv1n4123d-1 | 28.9500 | ![]() | 6207 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4123 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N4784A/TR | 265.7700 | ![]() | 9585 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4784A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 100 ohmios | ||||||||||||
CDLL5259A | 2.8650 | ![]() | 2670 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5259 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||
![]() | CDS978B-1/TR | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS978B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3038dur-1 | 46.6950 | ![]() | 4377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3038 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||
![]() | CD4777A | 18.4950 | ![]() | 7214 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4777A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 350 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CDLL5985 | 2.2950 | ![]() | 9893 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL5985 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.4 V | ||||||||||||
![]() | 1N6761UR-1/TR | 99.4500 | ![]() | 2879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Schottky | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6761UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 690 MV @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
![]() | SD41 | 69.7950 | ![]() | 9035 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | SD41 | Schottky | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SD41-NDR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 680 MV @ 30 A | 1.5 Ma @ 35 V | 30A | - | |||||||||
UZ720 | 22.4400 | ![]() | 5944 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 3 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ720 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 9 ohmios | |||||||||||||
CDLL3021B | 14.7300 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3021 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||
Jantxv1n5540c-1 | 23.3700 | ![]() | 4419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5540 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||
![]() | SMBJ5388A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 3678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5388 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 144 V | 200 V | 480 ohmios | |||||||||
1N5533d | 14.2050 | ![]() | 3778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5533d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | ||||||||||||
Jan1n6314dus | 48.9150 | ![]() | 4263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6314 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||
Jantxv1n6351c | 37.5300 | ![]() | 4966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N6351C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 99 V | 130 V | 850 ohmios | ||||||||||||
Jantx1n6864us/tr | - | ![]() | 4171 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6864US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | CDLL5538A/TR | 5.9052 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5538A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||
Janhca1n5543c | - | ![]() | 6155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5543C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jans1n4471c | 207.1050 | ![]() | 4539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 14.4 V | 18 V | 11 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n2971b | - | ![]() | 5317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.3 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n6355us | - | ![]() | 4550 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 152 V | 200 V | 1800 ohmios | |||||||||||
![]() | UES806 | 76.2600 | ![]() | 7961 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | UES806 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 50 A | 50 ns | 70 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | |||||||
Jantx1n5533c-1/tr | 17.4496 | ![]() | 7515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5533C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios |
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