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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL3020 | 14.7300 |  | 3379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3020 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||
| CDLL5526 | 6.4800 | | 2976 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5526 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.5 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||
 | Jans1n6311cus | 516.5250 | | 9315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Banda | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6311 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | ||||||||||
 | Jan1n6323cus | 63.7050 | | 1594 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6323cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||
 | Jans1n4620c-1 | 124.5750 | | 3606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||
 | Jan1n3170r | - | | 8784 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||
| 1N6350U/TR | 14.7900 | | 9092 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 91 V | 120 V | 600 ohmios | |||||||||||||
| Jan1N7049-1 | 7.6500 | | 5159 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Jan1n7049 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 1N5243 | 3.9150 | | 2801 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5243 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.4 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n5536b-1 | 9.1200 | | 1321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5536 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N249C | 74.5200 | | 6647 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N249C | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.19 v @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 20A | - | |||||||||
 | Jantx1n992cur-1 | - | | 1054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 152 V | 200 V | 2500 ohmios | |||||||||||
| 1N5987/TR | 3.5850 | | 1711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5987/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 500 MV | 3 V | 100 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n5528c-1 | 23.3700 | | 5405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5528 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.5 V | 8.2 V | 40 ohmios | |||||||||
 | 1N4747CP/TR12 | 2.2800 | | 1657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4747 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||
| 1N535555AE3/TR8 | 2.6250 | | 6202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5355 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13 V | 18 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | CD4685 | 2.3408 | | 2885 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4685 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 V | |||||||||||
| S30610 | 49.0050 | | 6797 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S30610 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 200 a | 5 µs | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 70a | - | |||||||||
 | 1 PMT5933/TR13 | 2.2200 | | 4542 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5933 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||
 | Jan1n4984dus | 41.7000 | | 7916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4984 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4956c | 231.0000 | | 1202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4956c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||
| 1N6334 | 8.4150 | | 2533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6334 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 21 V | 27 V | 27 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n5537cur-1 | 37.7850 | | 6998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5537 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||
| Jans1n6340us | 164.8650 | | 9823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 36 V | 47 V | 75 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n4987cus/tr | 41.0400 | | 4896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jantxv1n4987cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 121.6 V | 160 V | 350 ohmios | ||||||||||||
 | Jan1n3044cur-1 | 32.5950 | | 9577 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3044 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||
| 1N5356B/TR8 | 2.6850 | | 2227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5356 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13.7 V | 19 V | 3 ohmios | |||||||||
| Jans1n4115ur-1 | 48.9900 | | 5612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.8 V | 22 V | 150 ohmios | ||||||||||||
| MSASC100H60H/TR | 235.9500 | | 3642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H60H/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n829-1/tr | 9.2850 | | 1571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N829-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios |
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