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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4754AP/TR8	1.8900	RFQ	3499	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4754		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
CDLL5949D	11.7300	RFQ	3796	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5949		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 76 V				100 V	250 ohmios
Jantxv1n986d-1	9.4800	RFQ	7583	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N986		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 84 V				110 V	750 ohmios
Jan1N5544Cur-1/TR	25.7887	RFQ	7866	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5544CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100 ohmios
1N758D/TR	5.7750	RFQ	7841	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N758D/TR	EAR99	8541.10.0050	164					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				10 V	17 ohmios
Jantxv1n4124ur-1	11.2500	RFQ	3708	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4124		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
1N5538D	14.2050	RFQ	8177	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5538D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
1N4573	12.4050	RFQ	9097	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4573	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
1N2843RB	96.0150	RFQ	7245	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2843		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 114 V				150 V	75 ohmios
1N5919CP/TR12	2.2800	RFQ	8734	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5919		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 V	2 ohmios
Janhca1n5545b	6.7564	RFQ	6296	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5545B	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V				30 V	100 ohmios
CDLL4110/TR	3.0590	RFQ	4779	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4110/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.2 V				16 V	100 ohmios
1N6000A	1.9950	RFQ	3781	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6000		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.5 V				10 V	22 ohmios
Jans1n823-1/tr	125.9550	RFQ	8208	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANS1N823-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
1N5533CUR-1/TR	13.1100	RFQ	4164	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90 ohmios
1 PMT5942A/TR7	2.2200	RFQ	8719	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5942		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 V	70 ohmios
Jantx1n942bur-1/tr	-	RFQ	5560	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/157	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-Jantx1n942bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
1N5925CPE3/TR12	1.2000	RFQ	4032	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5925		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 V	4.5 ohmios
Jantxv1n968d-1	11.1450	RFQ	1060	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N968		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
Jantxv1n3044cur-1	46.1250	RFQ	9723	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3044		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 V	350 ohmios
Aptdf400kk170g	212.9600	RFQ	7321	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf400	Estándar		Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1700 V	480a	2.5 V @ 400 A	572 ns	750 µA @ 1700 V
Jantxv1n3042bur-1	18.0150	RFQ	7969	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3042		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 V	200 ohmios
CDS5524B-1	-	RFQ	7909	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS5524B-1	EAR99	8541.10.0050	50
DSB5821	-	RFQ	3808	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	DSB5821	Schottky			descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 3 A		100 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
CDLL4897/TR	28.8600	RFQ	5615	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4897/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 V	400 ohmios
Jan1n4491	9.5100	RFQ	7629	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4491		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		250 na @ 96 V				120 V	400 ohmios
Jan1n3030cur-1/TR	29.0339	RFQ	2937	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n3030cur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
Jantx1n6643us	6.9300	RFQ	6855	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/578	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, D	1N6643	Estándar		D-5D	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		125 V		1.2 V @ 100 Ma	6 ns	50 na @ 20 V	-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	5PF @ 0V, 1MHz
Jans1n3154-1	-	RFQ	5581	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 5.5 V				8.8 V	15 ohmios
CDS5518BUR-1/TR	-	RFQ	5961	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds5518bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	50

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²