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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5614	4.1800	RFQ	1232	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5614	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jantxv1n5712-1	26.0700	RFQ	5126	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	16 V	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1 MHz
1N6027ur	3.5850	RFQ	6379	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N6027				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
BZV55C3V0	2.9400	RFQ	5943	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 7%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BZV55C3V0			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				3 V
Jan1N5540C-1	11.0400	RFQ	8139	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5540		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V				20 V	100 ohmios
CDLL4732AE3	3.2850	RFQ	9608	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4732AE3	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jantxv1n962dur-1	24.2250	RFQ	1176	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N962		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5 ohmios
Jantxv1n4965us	15.9750	RFQ	7720	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4965		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 15.2 V				20 V	4.5 ohmios
Jantxv1n3029d-1	36.2100	RFQ	6465	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3029		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25 ohmios
Jan1n4370aur-1	7.2600	RFQ	3402	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4370			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
1N3315RA	49.3800	RFQ	8788	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3315		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 12.2 V				16 V	1.6 ohmios
1N976B	2.0700	RFQ	1389	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N976		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N976BMS	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93 ohmios
UZ7740R	468.9900	RFQ	6532	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Semental			10 W	Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ7740R	EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 30.4 V				40 V	15 ohmios
1N823UR-1/TR	4.9500	RFQ	6714	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N823UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
Jantx1n3012b	538.8900	RFQ	2178	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 121.6 V				160 V	200 ohmios
Jantx1n4113cur-1	24.3150	RFQ	5358	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4113		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 14.5 V				19 V	150 ohmios
1N5546	3.0750	RFQ	4722	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5546	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 28 V				33 V
1N3274R	158.8200	RFQ	7760	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3274	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3274RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
1N3909A	48.5400	RFQ	7774	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3909	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
Jan1n6485cus	-	RFQ	7050	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n986c-1	7.5750	RFQ	1707	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N986		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 84 V				110 V	750 ohmios
SMBJ5385A/TR13	1.6350	RFQ	7455	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5385		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 122 V				170 V	380 ohmios
1N4908	25.7700	RFQ	4122	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4908		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	50 ohmios
Jantxv1n3025b-1	11.8800	RFQ	4309	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3025		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
1N649-1/TR	2.5100	RFQ	65	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	355	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1 V @ 400 Ma		50 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jantx1n982c-1	11.3850	RFQ	7940	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N982		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
1N3349B	49.3800	RFQ	5965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3349		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 136.8 V				180 V	90 ohmios
Jan1n6344c	39.6300	RFQ	1268	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6344c	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 52 V				68 V	155 ohmios
CDLL5222D/TR	8.5950	RFQ	7708	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5222D/TR	EAR99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V				2.5 V	30 ohmios
Jantx1n4621d-1	15.5700	RFQ	8721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4621		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²