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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL474444AE3	5.7300	RFQ	2089	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-cdll4744ae3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
1 PMT5925B/TR13	2.2200	RFQ	2356	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5925		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 V	4.5 ohmios
1N4722	47.3250	RFQ	9071	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial	1N4722	Estándar		Axial	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1 v @ 3 a		25 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantx1n974b-1	2.8500	RFQ	3680	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N974		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
Apt2x30dq60j	19.3800	RFQ	9565	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	30A	2.2 V @ 30 A	105 ns	25 µA @ 600 V
1N735	-	RFQ	3886	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											75 V	240 ohmios
Jantx1n4130dur-1/tr	31.1752	RFQ	5064	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4130dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.7 V				68 V	700 ohmios
CDLL6486	13.8900	RFQ	3589	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6486		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
1 PMT5945A/TR13	2.2200	RFQ	3849	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5945		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 V	120 ohmios
1N2443	102.2400	RFQ	3597	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2443	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1N6885UTK4	259.3500	RFQ	1753	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6885UTK4			1
Jan1N3828C-1/TR	15.5078	RFQ	8383	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3828C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
SBR8045	131.4300	RFQ	8224	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Schottky		DO-5 (DO-203AB)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		740 MV @ 80 A			-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
1N3290A	93.8550	RFQ	6864	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3290	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3290ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.1 v @ 200 a		200 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4463		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		500 na @ 4.92 V				8.2 V	3 ohmios
Jantxv1n4460dus	38.5950	RFQ	5287	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4460dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		10 µA @ 3.72 V				6.2 V	4 ohmios
R3640	52.5750	RFQ	1918	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R3640	Estándar		Do-5	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 V @ 200 A	5 µs	25 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	70a	-
UPS120EE3/TR13	0.4800	RFQ	8599	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS120	Schottky		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
CDLL4755	3.4650	RFQ	4004	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4755			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 32.7 V				43 V	70 ohmios
1N5934BP/TR12	1.8900	RFQ	3501	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
Jan1N751Cur-1	11.3850	RFQ	2855	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N751		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	17 ohmios
1N5997C/TR	3.8437	RFQ	5984	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5997C/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6 V				7.5 V	7 ohmios
Jantxv1n4105dur-1	-	RFQ	3441	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8.5 V				11 V	200 ohmios
1N7051ur-1	9.3000	RFQ	8659	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N7051		250 MW	DO-213AB (Melf, LL41)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											4.8 V	35 ohmios
Jantxv1n4944/tr	10.1400	RFQ	8734	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/359	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4944/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
1N5919PE3/TR12	0.9150	RFQ	5359	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5919		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 V	2 ohmios
CDLL4897/TR	28.8600	RFQ	5615	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4897/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 V	400 ohmios
Jantxv1n4584a-1/tr	34.3200	RFQ	3379	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4584a-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	25 ohmios
1N6003UR/TR	3.7350	RFQ	9745	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N6003UR/TR	EAR99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 Ma						13 V
Jantx1n3038dur-1	46.6950	RFQ	4377	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3038		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²