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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n757aur-1/tr	3.9102	RFQ	4760	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N757AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7 V				9.1 V	6 ohmios
Jantxv1n5521b-1/tr	8.2327	RFQ	3135	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5521B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 V	18 ohmios
1N5372C/TR8	3.3900	RFQ	3327	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5372		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V				62 V	42 ohmios
Jantxv1n4617d-1	18.4650	RFQ	6689	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4617		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				2.4 V	1400 ohmios
Jantxv1n4108dur-1	36.0000	RFQ	1559	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4108		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.7 V				14 V	200 ohmios
1N4123UR/TR	3.9400	RFQ	8746	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 29.65 V				39 V	200 ohmios
Jantx1n4148ub/tr	20.5219	RFQ	4628	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/116	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Estándar		UB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4148UB/TR	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	75 V	1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
1N2977Be3	37.5300	RFQ	2094	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2977		10 W	DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2977BE3	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
Jantx1n967dur-1/tr	13.7788	RFQ	9233	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N967DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
1 PMT4104/TR13	0.9600	RFQ	7702	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4104		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7.6 V				10 V	200 ohmios
Jantxv1n6346c	37.5300	RFQ	6041	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N6346C	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 62 V				82 V	220 ohmios
Jan1n968dur-1	12.6900	RFQ	5717	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N968		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
R3610	33.6000	RFQ	2043	Tecnología de Microchip	R36	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R3610	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
Jantx1n3174r	-	RFQ	1608	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
Jans1n4494cus	283.8300	RFQ	7726	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4494cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 128 V				160 V	1000 ohmios
CDLL6333/TR	13.1404	RFQ	4927	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-cdll6333/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 18 V				24 V	24 ohmios
Jantxv1n6912utk2cs/tr	521.7750	RFQ	1304	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/723	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Thinkey ™ 2	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6912utk2cs/tr	EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	45 V	640 MV @ 25 A		1.2 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	1000PF @ 5V, 1MHz
Jan1n6328dus	38.2200	RFQ	2471	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6328dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 11 V				15 V	10 ohmios
CDLL4902A	116.3400	RFQ	9943	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4902		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 V	200 ohmios
1N5278/TR	3.3900	RFQ	8379	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5278/TR	EAR99	8541.10.0050	280			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 123 V				170 V	1900 ohmios
1N5956Be3	3.5850	RFQ	4610	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.19 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5956BE3	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 V	1200 ohmios
Jans1n6350us	164.8650	RFQ	3855	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 91 V				113 V	600 ohmios
CDS978B-1/TR	-	RFQ	7108	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS978B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
UZ5138	32.2650	RFQ	3779	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5138	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 289 V				380 V	1500 ohmios
CDLL5229C/TR	6.9150	RFQ	3060	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5229C/TR	EAR99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	22 ohmios
1N5937APE3/TR12	0.9150	RFQ	3182	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5937		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33 ohmios
1N2134	74.5200	RFQ	4968	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2134	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	350 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 350 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
Jantxv1n4108dur-1/tr	32.0663	RFQ	6057	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4108DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.7 V				14 V	200 ohmios
1N5922BPE3/TR12	0.9450	RFQ	7937	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5922		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 V	3 ohmios
Jantxv1n5536dur-1/tr	55.0221	RFQ	9759	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5536dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²