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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Apt2x30d120j	28.1900	RFQ	2	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1200 V	30A	2.5 V @ 30 A	370 ns	250 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N2135R	74.5200	RFQ	6566	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Polaridad Inversa Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2135R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
SMBG5354CE3/TR13	-	RFQ	1333	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5354		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 12.2 V				17 V	2.5 ohmios
CDS5518B-1/TR	-	RFQ	8256	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS5518B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N5257/TR	2.2950	RFQ	8479	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5257/TR	EAR99	8541.10.0050	410					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 24 V				33 V	58 ohmios
Janhca1n965d	-	RFQ	2205	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N965D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 11.4 V				15 V	16 ohmios
1N5362CE3/TR12	3.3900	RFQ	8269	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5362		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 20.1 V				28 V	6 ohmios
CD6339	2.1014	RFQ	7931	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-	Montaje en superficie	Morir				Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD6339	EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n5526d-1/tr	19.5776	RFQ	5940	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5526D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios
1N4710/TR	3.6575	RFQ	3723	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4710/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V				25 V
CDLL935A/TR	4.2600	RFQ	7851	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL935A/TR	EAR99	8541.10.0050	1											9 V	20 ohmios
CDLL5258B	2.8650	RFQ	7783	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5258		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
1 PMT5943CE3/TR13	-	RFQ	8386	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5943		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 V	86 ohmios
1N4702C/TR	8.0550	RFQ	6267	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4702C/TR	EAR99	8541.10.0050	118					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V
Jans1n5811	23.4750	RFQ	8777	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		875 MV @ 4 A	30 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
CDLL825AE3/TR	6.2250	RFQ	8950	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4.84%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-cdll825ae3/tr	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jankca1n4574a	-	RFQ	1148	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jankca1n4574a	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
1N4488	9.6750	RFQ	6979	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N4488		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N4488MS	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 72.8 V				91 V	200 ohmios
Jantxv1n3913r	-	RFQ	4894	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/308	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 50 A	200 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	30A	-
Jantx1n4486dus/tr	49.7250	RFQ	4482	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Jantx1n4486dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 60 V				75 V	130 ohmios
1N6621/TR	13.3800	RFQ	6642	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6621/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		440 V		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	10pf @ 10V, 1 MHz
SMBJ5342A/TR13	1.6350	RFQ	3339	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5342		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		10 µA @ 4.9 V				6.8 V	1 ohmios
1N5233A	1.8600	RFQ	8314	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5233		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
Jan1N758AUR-1/TR	4.0831	RFQ	9564	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N758AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 8 V				10 V	17 ohmios
1N5280/TR	3.3000	RFQ	9068	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5280/TR	EAR99	8541.10.0050	286					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 137 V
Jantxv1n5521d-1	29.2200	RFQ	8090	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5521		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 V	18 ohmios
S40A4	70.0350	RFQ	2981	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 V @ 40 A	3 µs		-	40A	-
1n1199ar	75.5700	RFQ	7996	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1199	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N1199 brazos	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
CDS5528DUR-1/TR	-	RFQ	3666	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS5528DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N5351CE3/TR12	3.3900	RFQ	4821	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5351		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 10.1 V				14 V	2.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²