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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n4118c-1 | 67.5450 |  | 5687 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||||
 | CDLL5270/TR | 3.3516 | | 4288 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5270/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 69 V | 91 V | 400 ohmios | ||||||||||
 | 1N5360E3/TR13 | 0.9900 | | 8901 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5360 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18 V | 25 V | 4 ohmios | |||||||||
 | 1N4557A | 74.3550 | | 8929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N4557 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 500 MV | 3.9 V | 0.16 ohmios | |||||||||
| Jans1n6489d | - | | 7055 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N751C-1/TR | 4.5000 | | 1292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N751C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 211 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n982cur-1 | 19.3800 | | 4797 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N982 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | |||||||||
| R34130 | 49.0050 | | 2711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R34130 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| MSASC150H45LS | - | | 3948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||||||
| 1N3261 | 151.2750 | | 8234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3261 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3261MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||
| 1N5533ur-1/TR | 6.6300 | | 6583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 10.5 V | 13 V | ||||||||||||||
| CDLL4627 | 3.9750 | | 8934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4627 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | |||||||||
 | 1N3650 | 31.3350 | | 6448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 2.2 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | - | 3.3a | - | ||||||||||
| UFR7140 | 99.3000 | | 9881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | UFR7140 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | 150pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| CDS4153UR-1 | - | | 5038 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds4153ur-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4484dus | 34.6050 | | 7142 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4484 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||
| CDLL6487/TR | 13.3931 | | 3571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.5 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6487/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n981c-1/tr | 6.8628 | | 7619 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N981C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n6352us | - | | 3033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 114 V | 141 V | 1000 ohmios | |||||||||||
| Jan1n6306r | - | | 1050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | |||||||||||
| CDLL4927A/TR | 100.6200 | | 9871 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4927A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 75 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n5525cur-1 | 49.5150 | | 8702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5525 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 V | 30 ohmios | |||||||||
| 1N4615 | 2.6250 | | 4407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 V | 1250 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n4114dur-1 | 31.0500 | | 2086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4114 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n3007rb | - | | 5156 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 83.6 V | 110 V | 55 ohmios | |||||||||||
| Jans1n4989dus/tr | 528.1050 | | 8014 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4989dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||
| Jan1n5968d | - | | 2307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 Ma @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n6315us | 20.9250 | | 5945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Jans1n4479cus | 283.8300 | | 4703 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4479cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 31.2 V | 39 V | 30 ohmios | |||||||||||
| 1N5262/TR | 2.2950 | | 5881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5262/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 37 V | 51 V | 125 ohmios |
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