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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
681-3	280.3200	RFQ	3470	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Dakota del Norte	681-3	Estándar		Dakota del Norte	descascar			Alcanzar sin afectado	150-681-3	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 Independiente	300 V	15A	1.2 v @ 10 a		10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C
CD4742A	1.8354	RFQ	4684	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4742A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
APTDF450U60G	103.9600	RFQ	5798	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf450	Estándar		LP4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 500 A	115 ns	2.5 mA @ 600 V		500A	-
Jantx1n992dur-1	-	RFQ	2045	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 152 V				200 V	2500 ohmios
Jan1n6331dus	38.2200	RFQ	8168	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6331dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 15 V				20 V	18 ohmios
1N4756CPE3/TR12	1.1550	RFQ	8604	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4756		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
1N5931P/TR12	1.8600	RFQ	5833	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5931		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12 ohmios
1N987B/TR	4.9476	RFQ	3756	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N987B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 91.2 V				120 V	900 ohmios
1N989Be3	5.5800	RFQ	3051	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	2266-1N989Be3	EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n4577a-1	8.8200	RFQ	1980	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4577		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	50 ohmios
UPS120E3/TR13	0.4800	RFQ	8592	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS120	Schottky		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		450 MV @ 1 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 5V, 1 MHz
Jan1n5537d-1	13.8000	RFQ	5920	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5537		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
Jantx1n4119ur-1/tr	8.5652	RFQ	1937	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4119ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200 ohmios
1N2234A	44.1600	RFQ	5104	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2234A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	5A	-
UPS3200/TR13	2.5800	RFQ	1552	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					UPS3200				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000
CDLL4627	3.9750	RFQ	8934	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4627		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1200 ohmios
Jans1n4102-1	33.7800	RFQ	2713	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.7 V				8.7 V	200 ohmios
1 PMT5934/TR7	2.2200	RFQ	4131	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5934		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
Jantx1n4130d-1	16.9800	RFQ	7507	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4130		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.7 V				68 V	700 ohmios
Jantx1n4472/tr	10.7198	RFQ	7395	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4472/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 16 V				20 V	650 ohmios
Jan1n3910ar	-	RFQ	5646	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/308	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
Jan1n4978us	9.2100	RFQ	3293	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4978		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 51.7 V				68 V	50 ohmios
1N5351B/TR8	2.6850	RFQ	8090	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5351		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 10.1 V				14 V	2.5 ohmios
Jantx1n3051b-1	-	RFQ	5141	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
CDLL5537C/TR	11.0124	RFQ	3476	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5537C/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
Jantxv1n4121dur-1/tr	32.0663	RFQ	6675	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4121DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200 ohmios
Jantxv1n4493d	41.2350	RFQ	2853	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4493d	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 120 V				150 V	700 ohmios
Jantxv1n755aur-1/tr	6.7830	RFQ	6409	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n755aur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 5 V				7.5 V	6 ohmios
Jantxv1n5520c-1	23.3700	RFQ	3966	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5520		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				3.9 V	22 ohmios
Jan1n6488us/tr	-	RFQ	6691	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-ENERO1N6488US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²