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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N980D	5.1900	RFQ	9138	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n645ur-1	-	RFQ	8054	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		225 V		1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
1N5257B/TR	2.0349	RFQ	8723	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5257B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
CDLL4728/TR	2.3408	RFQ	9801	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf				DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4728/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
CDLL4372	5.9550	RFQ	1936	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4372		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		30 µA @ 1 V				3 V	29 ohmios
Jantxv1n2982b	-	RFQ	5868	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 13.7 V				18 V	4 ohmios
Jan1n6341	9.9000	RFQ	4056	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6341		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 39 V				51 V	85 ohmios
Jan1n6325cus	63.7050	RFQ	7753	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6325cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8.5 V				11 V	7 ohmios
Jantxv1n3047cur-1	-	RFQ	8214	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N3167	195.7200	RFQ	1361	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3167	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3167MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		350 V		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 350 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
1N5926CP/TR8	2.2800	RFQ	7966	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5926		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
CDLL963BE3/TR	4.1100	RFQ	9567	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL963BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	231					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
1N752	2.1600	RFQ	5243	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				5.6 V	11 ohmios
Jantx1n4133cur-1	24.3150	RFQ	5204	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4133		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.2 V				87 V	1000 ohmios
1N4103UR/TR	3.5245	RFQ	1991	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4103UR/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.92 V				9.1 V	200 ohmios
1N4113ur/TR	3.9400	RFQ	5637	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 14.44 V				19 V	150 ohmios
1N3295R	102.2400	RFQ	9952	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3295	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3295RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Jantxv1n3050d-1	-	RFQ	5761	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N4752P/TR12	1.8600	RFQ	5739	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4752		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45 ohmios
Jan1n3026c-1	17.3250	RFQ	5899	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3026		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
Jantx1n4100ur-1/tr	10.1213	RFQ	3442	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4100UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 V	200 ohmios
Jantx1n965b-1/tr	2.1014	RFQ	6118	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N965B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
Jans1n4112-1	33.7800	RFQ	6551	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.7 V				18 V	100 ohmios
CD754	1.6950	RFQ	8663	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD754	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	5 ohmios
Jantx1n2977rb	-	RFQ	8568	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
CD6313	2.1014	RFQ	8473	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-	Montaje en superficie	Morir				Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD6313	EAR99	8541.10.0050	1
Apt2x30s20j	24.1200	RFQ	35	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Schottky		SOT-227 (ISOTOP®)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-ACT2X30S20J	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	45a	850 MV @ 30 A	55 ns	500 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Jan1n4488	-	RFQ	4311	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		250 na @ 72.8 V				91 V	200 ohmios
Jan1N4464US/TR	10.6050	RFQ	1966	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4464US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		300 na @ 5.46 V				9.1 V	4 ohmios
1N3336A	49.3800	RFQ	7238	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3336		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V				68 V	8 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²