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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
APTDF450U60G	103.9600	RFQ	5798	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf450	Estándar		LP4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 500 A	115 ns	2.5 mA @ 600 V		500A	-
CDLL977B	2.8650	RFQ	1758	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL977		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 36 V				47 V	105 ohmios
Jantxv1n2995rb	-	RFQ	8509	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 35.8 V				47 V	14 ohmios
Jantx1n970c-1	5.7150	RFQ	2295	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 18 V				24 V	33 ohmios
Jantxv1n5809	15.3750	RFQ	4243	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5809	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	65pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n4493	19.7400	RFQ	3498	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 120 V				150 V	700 ohmios
1N4245US	7.3650	RFQ	2319	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Mel		Estándar		Melf-1	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4245US	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N6319US/TR	13.1404	RFQ	3999	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6319US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	3 ohmios
Jans1n6354d	-	RFQ	1139	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 137 V				180 V	1500 ohmios
1N4469E3	6.0900	RFQ	1568	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 12 V				15 V	9 ohmios
Jantx1n6322us	18.0900	RFQ	4303	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6322		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 6 V				8.2 V	5 ohmios
Jan1N4460US	10.4550	RFQ	5140	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4460		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3.72 V				6.2 V	4 ohmios
UES1103SM	21.9300	RFQ	90	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	UES1103	Estándar		Una masa	-	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		975 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 150 V	175 ° C (Máximo)	2.5a	-
1N6701US	29.9700	RFQ	3546	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, C	1N6701	Schottky		D-5C	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		470 MV @ 5 A		200 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	5A	-
Jans1n4461c	207.1050	RFQ	9076	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 4.08 V				6.8 V	2.5 ohmios
Jans1n6353cus	-	RFQ	1479	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 122 V				151 V	1200 ohmios
Jan1N5520B-1/TR	5.0407	RFQ	4711	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5520B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				3.9 V	22 ohmios
1 PMT4131C/TR13	1.2450	RFQ	2812	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4131		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 57 V				75 V	250 ohmios
1N2972RB	-	RFQ	6032	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2972		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
CDLL5277C/TR	6.9150	RFQ	7374	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5277C/TR	EAR99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 116 V				160 V	1700 ohmios
1N4626D/TR	6.7500	RFQ	1093	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4626D/TR	EAR99	8541.10.0050	140					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 4 V				5.6 V	1400 ohmios
Jan1n4963cus	25.3200	RFQ	1417	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4963		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5 ohmios
Jan1N5545B-1	5.5200	RFQ	1551	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5545		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V				30 V	100 ohmios
Apt2x101d30j	28.9900	RFQ	3519	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x101	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	300 V	100A	1.4 V @ 100 A	47 ns	500 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
R4210	102.2400	RFQ	8103	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-R4210	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
Jantx1n985dur-1/tr	17.3964	RFQ	5042	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N985		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n985dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 76 V				100 V	500 ohmios
1N5358A/TR8	2.6250	RFQ	4033	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5358		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 15.8 V				22 V	3.5 ohmios
1N5241/TR	4.1100	RFQ	3349	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5241/TR	EAR99	8541.10.0050	231					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 8 V				11 V	22 ohmios
CDLL4746/TR	3.2319	RFQ	1887	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf				DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4746/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
Jan1n3170r	-	RFQ	8784	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²