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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD5335B | 5.0274 | ![]() | 6546 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Morir | 5 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5335B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1n3824cur-1 | 35.5200 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3824 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL5535C/TR | 12.3900 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5535C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N723 | 1.9200 | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N723 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 24 V | 28 ohmios | |||||||||||||
![]() | MSASC150H55L/TR | 231.4950 | ![]() | 3215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150H55L/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5712ubcc | 118.6800 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N5712 | Schottky | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 16 V | 75 Ma | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N4555A | 53.5800 | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N4555 | 50 W | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 2 V | 6.8 V | 0.16 ohmios | ||||||||||||
Jans1n6621 | 102.6300 | ![]() | 2456 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 10pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4460 | 7.9200 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N4460 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4460 MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | |||||||||||
Jan1N5540B-1 | 5.5200 | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5540 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5929AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 4860 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5929 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | 1 PMT5930B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 1553 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5930 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N2130RA | 74.5200 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2130RA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||||
1N4738AURE3/TR | 3.4048 | ![]() | 2936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4738AUR3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N4458R | 40.3950 | ![]() | 6447 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/162 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N4458 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | 1N5927P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 9777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5927 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 6.5 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n3342b | - | ![]() | 5722 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 83 V | 110 V | 30 ohmios | |||||||||||||
Jans1n4131c-1/tr | 63.1902 | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4131c-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n980cur-1 | 19.3800 | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N980 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL5278D/TR | 8.5950 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5278D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 123 V | 170 V | 1900 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5350CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 7348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5350 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.4 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n3822cur-1 | 35.5050 | ![]() | 8102 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3822 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | |||||||||||
Jan1N984C-1 | 4.3950 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N984 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 69 V | 91 V | 400 ohmios | ||||||||||||
1N5272B | 2.7265 | ![]() | 8552 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5272B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5997C/TR | 3.8437 | ![]() | 5984 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5997C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6 V | 7.5 V | 7 ohmios | ||||||||||||
Jantxv1n4106-1/tr | 8.0465 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4106-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | |||||||||||||
![]() | R3760 | 59.0400 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SR37 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2266-R3760 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 200 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 85a | - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n5188 | 14.5950 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5188 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | CDS5188 | - | ![]() | 7543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5188 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5814r | 132.9150 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
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