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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n4954cus | 20.4300 |  | 2383 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n4954cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||
 | HSM580JE3/TR13 | 0.9750 | | 1456 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM580 | Schottky | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 800 MV @ 5 A | 250 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||
 | 1N5922PE3/TR12 | 0.9150 | | 1450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5922 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||
| 1N4760AP/TR8 | 1.8900 | | 4807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||
 | Jan1N756A-1 | 2.0550 | | 5860 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||||||
 | Jans1n6323cus | 285.0750 | | 6389 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||
 | Jantx1n4566a-1 | 5.9700 | | 7268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4566 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
 | 1N4927A | 87.4350 | | 9959 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4927 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 75 ohmios | |||||||||||
 | UZ5114 | 32.2650 | | 6701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5114 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 106 V | 140 V | 230 ohmios | ||||||||||||
 | Jan1N4959C | 14.9250 | | 5667 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4959 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4130dur-1/tr | 31.1752 | | 5064 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n4130dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios | ||||||||||
| 1n6677ur-1 | 9.4000 | | 91 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N6677 | Schottky | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 500 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||
| S4240TS | 57.8550 | | 6006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | S4240 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||
| Jan1n756aur-1 | 4.4400 | | 9211 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios | |||||||||
| 1N5746D | 4.6800 | | 8350 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5746 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 19 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||
| Jan1n4969d | 18.6750 | | 5110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4969 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | |||||||||
 | 1N973B | - | | 5831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N973BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 58 ohmios | |||||||||
 | CDLL5936C | 7.8450 | | 5092 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5936 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||
| UFT3020 | 62.1000 | | 2027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | UFT3020 | Estándar | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 15 A | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | 140pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| 1N5353/TR12 | 2.6250 | | 2303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5353 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5 ohmios | |||||||||
| CDLL4964 | 11.1450 | | 6626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4964 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| CDLL4580A/TR | 6.5250 | | 9228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4580A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 25 ohmios | ||||||||||||
 | CD4738A | 1.8354 | | 5046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4738A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||
| 1N937/TR | 9.2700 | | 9771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n937/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||
| Jans1n5550/tr | 81.3000 | | 3048 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5550/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
| SMBG5384BE3/TR13 | 1.1400 | | 3873 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5384 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 115 V | 160 V | 350 ohmios | |||||||||
| R4280TS | 59.8350 | | 4293 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R42 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | R4280 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||
| 1N5730B | 1.8600 | | 5823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5730 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 V | 25 ohmios | |||||||||
| MBR2050CTE3/TU | 1.1700 | | 5565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR2050 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MBR6060PTE3/TU | 2.0100 | | 5107 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR6060 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 |
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