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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n5712ubd	161.1300	RFQ	9114	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	16 V	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
Jan1n4117dur-1/TR	24.8843	RFQ	3561	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)				DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4117DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V				25 V	150 ohmios
UFS310GE3/TR13	1.5000	RFQ	6779	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	UFS310	Estándar		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	950 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5344B/TR12	2.6850	RFQ	5472	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5344		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		10 µA @ 5.9 V				8.2 V	1.5 ohmios
Jan1N4958US	8.8200	RFQ	8709	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4958		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		25 µA @ 7.6 V				10 V	2 ohmios
1N5370CE3/TR8	3.3900	RFQ	8621	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5370		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V				56 V	35 ohmios
Jantx1n4985/tr	12.5153	RFQ	5215	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial			5 W		descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4985/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 98.8 V				130 V	190 ohmios
Janhca1n5525c	-	RFQ	4836	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5525C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				6.2 V	30 ohmios
Jantx1n4463dus/tr	75.4950	RFQ	6199	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-JantX1N4463DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		500 na @ 4.92 V				8.2 V	3 ohmios
CD5276B	1.6350	RFQ	6384	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5276B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 114 V				150 V	1500 ohmios
UFS170JE3/TR13	0.9000	RFQ	7377	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	UFS170	Estándar		DO-214BA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	700 V	1.2 v @ 1 a	60 ns	20 µA @ 700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SMBG5347AE3/TR13	1.1250	RFQ	1910	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5347		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		5 µA @ 7.2 V				10 V	2 ohmios
CDLL958A	2.8650	RFQ	4377	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL958		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5.7 V				7.5 V	5.5 ohmios
Jantxv1n6770r	-	RFQ	6628	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.06 v @ 8 a	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8A	150pf @ 5V, 1 MHz
Jantx1n5534b-1/tr	6.7298	RFQ	2716	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5534B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100 ohmios
R21120	33.4500	RFQ	9870	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	R21120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
1 PMT4120CE3/TR13	0.4950	RFQ	8504	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4120		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
Jantxv1n6333cus	57.1050	RFQ	3293	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6333cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V				24 V	24 ohmios
Jans1n4963us	92.9250	RFQ	9397	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5 ohmios
1N5242B/TR	3.2984	RFQ	9892	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5242B/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	30 ohmios
Jan1n3027b-1	7.7250	RFQ	6278	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3027		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V				20 V	22 ohmios
1N4751CE3/TR13	1.1700	RFQ	2565	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4751		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
Jantxv1n4129dur-1/tr	32.0663	RFQ	3229	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4129dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 47.1 V				62 V	500 ohmios
CDLL5951D	23.5050	RFQ	5406	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5951		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 V	380 ohmios
Jans1n5620us	57.3900	RFQ	7086	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jantxv1n3047cur-1	-	RFQ	8214	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4615dur-1/tr	40.2325	RFQ	6150	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n4615dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 1 V				2 V	1250 ohmios
1N5623	7.2150	RFQ	3950	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5623	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1000 V	1.6 v @ 3 a	500 ns	500 na @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 12V, 1 MHz
CDS3018B-1/TR	-	RFQ	7330	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3018B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N3343RB	49.3800	RFQ	5567	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3343		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 V	40 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²