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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD24150 | 63.3000 | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | SD2415 | - | Alcanzar sin afectado | 150-SD24150 | 1 | |||||||||||||||||||||||
CDLL5819E3 | 9.2400 | ![]() | 4650 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL5819 | Schottky | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1086-15189-MIL | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 490 MV @ 1 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
1N5266B/TR | 2.6866 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5266B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1N7050ur-1 | 9.1500 | ![]() | 6671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N7050 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5954AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5954 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | ||||||||||
![]() | CDLL5523A/TR | 5.9052 | ![]() | 1975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5523A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 26 ohmios | |||||||||||
![]() | Smaj5932be3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5932 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||
![]() | CDLL4583A | 18.4950 | ![]() | 5011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4583 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jans1n4117dur-1 | 147.2700 | ![]() | 3975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | ||||||||||||
Jantxv1n647-1 | - | ![]() | 6155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N647 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||
![]() | 1N1203BR | 34.7100 | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1203 | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | Jankca1n4115c | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n4115c | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.72 V | 22 V | 150 ohmios | ||||||||||||
1N6075US | 17.7300 | ![]() | 3115 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6075 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 2.04 v @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | HSM170JE3/TR13 | 0.8550 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM170 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5943CE3/TR13 | - | ![]() | 7453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5943 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | ||||||||||
![]() | 1 PMT4113E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4113 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.44 V | 19 V | 150 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1N4130CUR-1/TR | 19.9367 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4130CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios | ||||||||||||
CDLL5935D | 11.7300 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5935 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||
![]() | HSM320G/TR13 | 1.5000 | ![]() | 3809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM320 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4576A | 8.6250 | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4576 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | JTXM19500/469-03 | 457.1400 | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5711ubca/TR | 32.0600 | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||
![]() | 1N5351B/TR12 | 2.6850 | ![]() | 9813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5351 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.1 V | 14 V | 2.5 ohmios | ||||||||||
![]() | 1 PMT5951AE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 380 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N3042B-1 | 8.1900 | ![]() | 2340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3042 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N6013B | 2.0700 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6013 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N6013bms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 95 ohmios | |||||||||
![]() | Jan1n4119dur-1 | 27.9150 | ![]() | 8168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4119 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200 ohmios | |||||||||||
Jantxv1n4370c-1 | 19.8300 | ![]() | 1661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4370 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5356B/TR8 | 2.6850 | ![]() | 2227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5356 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13.7 V | 19 V | 3 ohmios |
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