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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n4622dur-1	-	RFQ	5857	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2.5 µA @ 2 V				3.9 V	1650 ohmios
CDLL5939D	11.7300	RFQ	5768	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5939		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 V	45 ohmios
Jantx1n6333us	-	RFQ	9694	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V				24 V	24 ohmios
Jan1N4621D-1/TR	10.7730	RFQ	5861	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4621D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
Jantxv1n5802us/tr	14.2500	RFQ	2506	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5802US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n2835b	-	RFQ	9273	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2835		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 56 V				75 V	9 ohmios
Jan1n5809urs	17.4750	RFQ	2945	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N5809	Estándar		B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n4463us	17.2200	RFQ	4391	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4463		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		500 na @ 4.92 V				8.2 V	3 ohmios
Jan1n3821d-1	21.6750	RFQ	6660	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3821		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
CDLL4578A	18.5100	RFQ	1364	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4578		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					50 ohmios
Jantxv1n3018dur-1	57.6750	RFQ	2724	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3018		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	4.5 ohmios
1N4112ur	3.7950	RFQ	6126	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4112		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios
Jantxv1n4130dur-1	36.0000	RFQ	2129	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4130		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.7 V				68 V	700 ohmios
CDLL4485	11.3550	RFQ	6965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4485		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		250 na @ 54.4 V				68 V	100 ohmios
CDLL3024B	15.3000	RFQ	8555	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3024		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		500 na @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
Jantx1n4574aur-1/tr	35.7000	RFQ	7917	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4574aur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					100 ohmios
CDS759AUR-1/TR	-	RFQ	8081	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds759aur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	50
Jantxv1n6840u3	-	RFQ	4030	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		U3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	35 V	880 MV @ 20 A			-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Jans1n4985cus	343.6210	RFQ	2026	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4985cus	EAR99	8541.10.0050	1
CDLL5221C/TR	6.9150	RFQ	9071	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5221C/TR	EAR99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
Jantxv1n4480cus	45.1350	RFQ	5242	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4480cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V				43 V	40 ohmios
SMBJ4754A/TR13	0.8850	RFQ	7498	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4754		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
Jantx1n4623d-1	14.5650	RFQ	3929	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4623d-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.3 V	1600 ohmios
1N6761-1	82.6950	RFQ	8422	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N6761	Schottky		Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	690 MV @ 1 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	70pf @ 5V, 1MHz
1N5927Bur-1	4.0650	RFQ	5751	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N5927		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	6.5 ohmios
1N2442	102.2400	RFQ	6737	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2442	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	350 V	1.1 v @ 200 a		50 µA @ 350 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Janhca1n4129d	-	RFQ	8666	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4129D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 47.1 V				62 V	500 ohmios
Jans1n633332dus/tr	527.7150	RFQ	2129	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6332dus/tr	EAR99	8541.10.0050	50			1.4 v @ 1 a		50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios
1N2256	44.1600	RFQ	8798	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2256	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
1N5538B	5.4300	RFQ	2124	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5538		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	105 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²