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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n6323 | 14.6700 |  | 8292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6323 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
 | Jan1n3033d-1 | 21.6750 | | 6426 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3033 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||
| 1N935A/TR | 5.7300 | | 2063 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N935A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jans1n5807us | 42.3600 | | 9605 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
 | 1N3492 | 66.2550 | | 1539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Presiona Ajuste | DO-208AA | Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3492 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||
| UM4002SM | - | | 6230 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4002SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 20 W | 3pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 500mohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM7301B | - | | 7574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7301BTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 W | 0.7pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 3ohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||
 | 1N4469/TR | 5.3998 | | 5958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4469/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4578-1/TR | 9.1200 | | 9515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4578-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||
| UM4306SM | - | | 2612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4306SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM7204D | - | | 9491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7204DTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 7.5 W | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 400V | 250MOHM @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM9441HR2/TR | - | | 7569 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM9441HR2/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10pf @ 50V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | - | |||||||||||||||||||
 | LXP1004-23-0/TR | 4.2900 | | 6571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXP1004 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 10 Ma | 250 MW | 0.75pf @ 20V, 1MHz | PIN - Single | 20V | 600mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||
| 1N6000C-1E3/TR | 4.0166 | | 5312 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6000C-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
 | Jan1N5523Bur-1/TR | 12.9542 | | 2125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5523BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios | |||||||||||||||
| Jans1n6324us | 136.0950 | | 3397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6324 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 V | 500 ohmios | ||||||||||||||
| Jantx1n4618c-1 | 13.6650 | | 2457 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4618 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||
| SMBG5347C/TR13 | 2.8650 | | 2139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5347 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 7.2 V | 10 V | 2 ohmios | ||||||||||||||
| UM2106D | - | | 2220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM2106DTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 18.75 W | 2.5pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 2ohm @ 100 mm, 2mhz | ||||||||||||||||||
| UM4002D | - | | 2184 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4002DTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 18.75 W | 3pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 500mohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| LXP1004-23-2 | 4.9000 | | 165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXP1004 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 Ma | 250 MW | 0.75pf @ 20V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 20V | 600mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||
 | 1N5930CE3/TR13 | - | | 9916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5930 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
 | Jan1N3156-1/TR | - | | 3162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3156-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
| 1N752A/TR | 2.3400 | | 7268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N752A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 404 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n3034dur-1/TR | 36.2558 | | 5873 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3034DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4744E3/TR13 | 0.8100 | | 6853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
| SMBG5378BE3/TR13 | 1.1400 | | 2987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5378 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 72 V | 100 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
| CDLL4734D/TR | 9.7800 | | 5058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4734D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||
 | CDLL4763 | 3.4650 | | 9533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4763 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantx1n6632dus | - | | 5111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 V | 3 ohmios |
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